Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 40

ZVN2120ASTOB

Teilbestand: 9780

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOA

Teilbestand: 5991

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP1320A

Teilbestand: 9856

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3306FTC

Teilbestand: 9843

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP1320ASTZ

Teilbestand: 9873

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TC

Teilbestand: 9849

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOB

Teilbestand: 9836

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3320ASTOB

Teilbestand: 9826

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOB

Teilbestand: 6076

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4525GTC

Teilbestand: 9875

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 310mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTZ

Teilbestand: 9822

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP4424GTC

Teilbestand: 9832

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 480mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOB

Teilbestand: 6070

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP3306ASTZ

Teilbestand: 9812

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2A02X8TC

Teilbestand: 5985

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

VN10LFTC

Teilbestand: 9787

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOA

Teilbestand: 5987

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 140mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TC

Teilbestand: 9889

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM64N03XTC

Teilbestand: 9824

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOB

Teilbestand: 9843

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOA

Teilbestand: 9836

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2535ASTZ

Teilbestand: 9837

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOB

Teilbestand: 9821

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZVN3310A

Teilbestand: 85236

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3310ASTOA

Teilbestand: 9838

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOA

Teilbestand: 9816

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP3310ASTZ

Teilbestand: 9830

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 140mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TC

Teilbestand: 6016

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOA

Teilbestand: 9856

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOB

Teilbestand: 6003

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2110GTC

Teilbestand: 9873

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOA

Teilbestand: 9841

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

Teilbestand: 9861

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN2A01FTC

Teilbestand: 9864

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOB

Teilbestand: 9833

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVNL120CSTZ

Teilbestand: 5997

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

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