Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 12

ZXMN3A04DN8TA

Teilbestand: 67976

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMN61D8LVTQ-13

Teilbestand: 164672

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMP2004DMK-7

Teilbestand: 161101

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 550mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN3032LFDBQ-7

Teilbestand: 158335

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2700UDMQ-7

Teilbestand: 273

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, 700 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2040LTS-13

Teilbestand: 129560

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN1029UFDB-13

Teilbestand: 165180

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP2060UFDB-7

Teilbestand: 104528

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC25D0UVT-7

Teilbestand: 145606

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN4031SSD-13

Teilbestand: 188923

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN601DWKQ-7

Teilbestand: 16267

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 305mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMP1046UFDB-13

Teilbestand: 131033

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2036UCB4-7

Teilbestand: 9926

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard,

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Diodes Incorporated

ZXMC4559DN8TA

Teilbestand: 76154

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMC3028LSD-13

Teilbestand: 124769

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, 6.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN1003UCA6-7

Teilbestand: 9998

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-13

Teilbestand: 120600

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMT3020LFDB-7

Teilbestand: 173648

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

ZXMC4559DN8TC

Teilbestand: 98680

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

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Diodes Incorporated

DMN2028UFU-13

Teilbestand: 184757

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG8601UFG-7

Teilbestand: 139933

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.05V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC1030UFDBQ-7

Teilbestand: 120462

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP2200UDW-13

Teilbestand: 108457

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 900mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-7

Teilbestand: 176531

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Diodes Incorporated

DMN4031SSDQ-13

Teilbestand: 188739

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN3055LFDB-13

Teilbestand: 174963

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMHC3025LSDQ-13

Teilbestand: 190261

FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 4.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMP1055UFDB-7

Teilbestand: 154659

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC3400SDW-13

Teilbestand: 156092

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 650mA, 450mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMT6018LDR-7

Teilbestand: 150011

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN1150UFL3-7

Teilbestand: 127702

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC1029UFDB-13

Teilbestand: 120593

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.6A, 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN32D4SDW-13

Teilbestand: 172309

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 650mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 250mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN4026SSD-13

Teilbestand: 191283

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMT6018LDR-13

Teilbestand: 215

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMTH4007SPD-13

Teilbestand: 135932

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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