Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

FMMT617TA

Teilbestand: 145823

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

ZXTNS618MCTA

Teilbestand: 145884

Transistortyp: NPN + Diode (Isolated), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

ZXTN4004KQTC

Teilbestand: 129092

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV,

FMMT597TA

Teilbestand: 142434

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 20mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

FZT951TC

Teilbestand: 158575

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

ZXTN649FTA

Teilbestand: 110626

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

ZXTP2014GTA

Teilbestand: 78781

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

ZTX718STZ

Teilbestand: 150947

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

ZTX851STZ

Teilbestand: 153422

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

DXT2013P5-13

Teilbestand: 139083

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

MJD32C-13

Teilbestand: 184

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

FZT955TA

Teilbestand: 147974

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

FZT491AQTA

Teilbestand: 168

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

FMMT558QTA

Teilbestand: 108179

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

FCX493TA

Teilbestand: 161649

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 10V,

ZX5T955GTA

Teilbestand: 164377

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

FCX591AQTA

Teilbestand: 126781

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V,

FCX705TA

Teilbestand: 133011

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

ZXTN19020DFFTA

Teilbestand: 196981

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 190mV @ 180mA, 6.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

ZXTP03200BGTA

Teilbestand: 134496

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

ZTX790ASTZ

Teilbestand: 148154

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

MMBT3904FA-7B

Teilbestand: 119670

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

DSS4240V-7

Teilbestand: 179495

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

ZXTP2012ZQTA

Teilbestand: 160817

MMSTA64-7-F

Teilbestand: 184190

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

FZT751TA

Teilbestand: 188350

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

ZUMT718TA

Teilbestand: 129249

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

FMMT593TA

Teilbestand: 114445

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

ZTX788A

Teilbestand: 111001

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

FZT1049ATA

Teilbestand: 193585

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 330mV @ 50mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

MMBTA63-7

Teilbestand: 170306

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

ZXT1053AKTC

Teilbestand: 132216

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 460mV @ 200mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

ZXTN25040DFLTA

Teilbestand: 183109

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 285mV @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

FZT560TC

Teilbestand: 140130

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V,

MMSTA55-7-F

Teilbestand: 151945

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

FMMT614QTA

Teilbestand: 177

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15000 @ 100mA, 5V,