Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

Diodes Incorporated

ZTX415STOB

Teilbestand: 5826

Transistortyp: NPN - Avalanche Mode, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZTX553

Teilbestand: 111046

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZTX415STOA

Teilbestand: 5814

Transistortyp: NPN - Avalanche Mode, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZTX649STOA

Teilbestand: 5839

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

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Diodes Incorporated

FZT755TC

Teilbestand: 5858

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZTX790ASTOB

Teilbestand: 5903

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZTX949

Teilbestand: 56810

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 320mV @ 300mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Diodes Incorporated

ZTX618STOB

Teilbestand: 5858

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZTX1147ASTOB

Teilbestand: 5847

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 235mV @ 70mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZTX1151ASTOB

Teilbestand: 5811

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 240mV @ 250mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZTX951

Teilbestand: 64898

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Diodes Incorporated

ZTX718STOA

Teilbestand: 5838

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

FZT849TC

Teilbestand: 5820

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Diodes Incorporated

ZTX653STOB

Teilbestand: 5835

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO),

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Diodes Incorporated

ZXT10N20DE6TC

Teilbestand: 5844

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

ZTX601STOA

Teilbestand: 5881

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZTX653STOA

Teilbestand: 5869

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO),

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Diodes Incorporated

FZT789ATC

Teilbestand: 5863

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

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Diodes Incorporated

FZTA42TC

Teilbestand: 5818

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZTX601ASTZ

Teilbestand: 5856

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZTX449STOA

Teilbestand: 5839

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZTX753STOB

Teilbestand: 6589

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO),

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Diodes Incorporated

ZTX951STOB

Teilbestand: 5844

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Diodes Incorporated

FZT758TC

Teilbestand: 5824

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZTX1049ASTOB

Teilbestand: 5827

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

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Diodes Incorporated

FZT855TC

Teilbestand: 5802

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 355mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

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Diodes Incorporated

FZT949TC

Teilbestand: 5895

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 440mV @ 500mA, 5.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Diodes Incorporated

ZTX956STOB

Teilbestand: 6667

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

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Diodes Incorporated

ZTX796ASTOA

Teilbestand: 5905

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZTX657STOB

Teilbestand: 5889

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

FZT757TC

Teilbestand: 5859

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZTX601ASTOB

Teilbestand: 5816

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZTX717STOA

Teilbestand: 6591

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V,

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Diodes Incorporated

ZTX1051ASTOA

Teilbestand: 5851

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

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Diodes Incorporated

ZTX968STOA

Teilbestand: 5894

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V,

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Diodes Incorporated

ZTX618STOA

Teilbestand: 5880

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

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