Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

Diodes Incorporated

MMBTA13-7

Teilbestand: 5475

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

FMMT717TC

Teilbestand: 5877

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

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Diodes Incorporated

MMST5551-7

Teilbestand: 5285

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DXT690BP5Q-13

Teilbestand: 154582

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V,

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Diodes Incorporated

FZT1149ATC

Teilbestand: 5829

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 140mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

FZT689BTC

Teilbestand: 5818

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 20mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

FMMT459QTA

Teilbestand: 116136

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 90mV @ 6mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V,

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Diodes Incorporated

FZT851TA

Teilbestand: 158508

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V,

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Diodes Incorporated

FMMTA56TC

Teilbestand: 5877

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

ZTX657

Teilbestand: 77129

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZXT849KTC

Teilbestand: 120113

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 280mV @ 350mA, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Diodes Incorporated

ZTX755

Teilbestand: 5431

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZTX757

Teilbestand: 86207

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZX3CDBS1M832TA

Teilbestand: 5519

Transistortyp: NPN + Diode (Isolated), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

ZTX712

Teilbestand: 5451

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V,

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Diodes Incorporated

FMMT551TC

Teilbestand: 6671

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DXTP560BP5-13

Teilbestand: 144576

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXT4M322TA

Teilbestand: 5334

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 5V,

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Diodes Incorporated

FZT549TC

Teilbestand: 5855

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZXTN2040FTA

Teilbestand: 160204

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

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Diodes Incorporated

DXT790AP5-13

Teilbestand: 190785

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

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Diodes Incorporated

MMBTA42-7

Teilbestand: 5518

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

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Diodes Incorporated

MMBT3906T-7

Teilbestand: 5277

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Diodes Incorporated

DXTA92-13

Teilbestand: 161879

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

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Diodes Incorporated

FMMT596TC

Teilbestand: 5845

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DNLS320E-13

Teilbestand: 164587

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 20mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

FMMT451TC

Teilbestand: 6655

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXTP2012A

Teilbestand: 114456

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Diodes Incorporated

ZTX692B

Teilbestand: 74775

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

FZT657TC

Teilbestand: 5814

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

FZT1151ATC

Teilbestand: 5792

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZXT10P20DE6TA

Teilbestand: 5733

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

ZXTS1000E6TA

Teilbestand: 6573

Transistortyp: PNP + Diode (Isolated), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

FMMT720TC

Teilbestand: 5848

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

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Diodes Incorporated

MMBT4124-7

Teilbestand: 5490

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

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Diodes Incorporated

FMMTL619TC

Teilbestand: 5859

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 330mV @ 125mA, 1.25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

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