Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

EPC2001

Teilbestand: 18487

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2049ENGRT

Teilbestand: 4397

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 5V,

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EPC2021

Teilbestand: 14286

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

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EPC2025

Teilbestand: 1945

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2031

Teilbestand: 8638

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2018

Teilbestand: 8926

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2016

Teilbestand: 50068

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2051ENGRT

Teilbestand: 10801

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC8004

Teilbestand: 28614

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC8009

Teilbestand: 27880

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2030ENGRT

Teilbestand: 16295

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2007

Teilbestand: 69589

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2015

Teilbestand: 18703

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2031ENGRT

Teilbestand: 17048

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2012

Teilbestand: 54098

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2010

Teilbestand: 9929

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC2022

Teilbestand: 14027

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2024

Teilbestand: 14687

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

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EPC2033

Teilbestand: 13722

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2032

Teilbestand: 16483

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2020

Teilbestand: 14515

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

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EPC2029

Teilbestand: 16856

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC2034

Teilbestand: 7981

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 5V,

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EPC2035

Teilbestand: 195456

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 5V,

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EPC2023

Teilbestand: 18953

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

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EPC2015C

Teilbestand: 30169

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 53A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

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EPC2014

Teilbestand: 74091

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 5V,

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EPC2030

Teilbestand: 22960

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

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EPC8010

Teilbestand: 46864

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC2045ENGRT

Teilbestand: 26260

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 5V,

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EPC2010C

Teilbestand: 17919

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 5V,

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EPC2012C

Teilbestand: 54040

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

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EPC2001C

Teilbestand: 31126

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

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EPC2202

Teilbestand: 48425

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC2019

Teilbestand: 37744

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 5V,

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EPC2007C

Teilbestand: 74756

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

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