Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 2

EPC2203

Teilbestand: 59185

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 5V,

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EPC

EPC2014C

Teilbestand: 107624

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 5V,

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EPC

EPC8002

Teilbestand: 49093

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 65V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V,

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EPC

EPC2037

Teilbestand: 128582

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 100mA, 5V,

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EPC

EPC2040

Teilbestand: 113264

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 1.5A, 5V,

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EPC

EPC2039

Teilbestand: 105727

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

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EPC

EPC2016C

Teilbestand: 65843

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

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EPC

EPC2038

Teilbestand: 148654

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 Ohm @ 50mA, 5V,

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EPC

EPC2036

Teilbestand: 150786

FET-Typ: N-Channel, Technologie: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 5V,

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