Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

EPC2105ENGRT

Teilbestand: 13745

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 2.5mA,

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EPC

EPC2100

Teilbestand: 18949

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2104ENGRT

Teilbestand: 13673

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC

EPC2101ENGRT

Teilbestand: 13969

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 2mA,

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EPC

EPC2103ENGRT

Teilbestand: 13895

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2111ENGRT

Teilbestand: 43248

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 5mA,

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EPC

EPC2101ENG

Teilbestand: 2948

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 2mA,

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EPC

EPC2100ENGRT

Teilbestand: 14216

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2106ENGRT

Teilbestand: 88131

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 600µA,

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EPC

EPC2102ENGRT

Teilbestand: 14073

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Tj), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2103

Teilbestand: 23026

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2105

Teilbestand: 24303

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

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EPC

EPC2100ENG

Teilbestand: 2900

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

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EPC

EPC2105ENG

Teilbestand: 2911

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 2.5mA,

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EPC

EPC2103ENG

Teilbestand: 2868

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2104

Teilbestand: 24318

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC

EPC2106

Teilbestand: 24307

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 600µA,

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EPC

EPC2102ENG

Teilbestand: 2960

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2102

Teilbestand: 24374

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

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EPC

EPC2104ENG

Teilbestand: 2913

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 5.5mA,

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EPC

EPC2107ENGRT

Teilbestand: 82626

FET-Typ: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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EPC

EPC2107

Teilbestand: 79571

FET-Typ: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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EPC

EPC2111

Teilbestand: 48430

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 5mA,

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EPC

EPC2110ENGRT

Teilbestand: 67578

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 700µA,

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EPC

EPC2101

Teilbestand: 21570

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

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EPC

EPC2110

Teilbestand: 26911

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 700µA,

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EPC

EPC2108

Teilbestand: 83651

FET-Typ: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

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