Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 21

MBRH200100R

Teilbestand: 2515

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH200150

Teilbestand: 2450

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/12

Teilbestand: 3049

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN71/14

Teilbestand: 12932

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S150M

Teilbestand: 2508

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16KR05

Teilbestand: 12913

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR16MR05

Teilbestand: 12877

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MURH10060

Teilbestand: 3613

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 110ns,

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GeneSiC Semiconductor

S6K

Teilbestand: 15122

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6JR05

Teilbestand: 12903

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR3580R

Teilbestand: 5654

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 35A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH240100R

Teilbestand: 85

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/08

Teilbestand: 3057

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR71/16

Teilbestand: 9641

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6DR02

Teilbestand: 13694

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S70JR

Teilbestand: 9627

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 70A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40DR05

Teilbestand: 9986

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR3520R

Teilbestand: 5703

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 35A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20030R

Teilbestand: 2602

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S12J

Teilbestand: 14955

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3535

Teilbestand: 5726

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 35A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/18

Teilbestand: 3078

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/18

Teilbestand: 3741

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR70DR05

Teilbestand: 9635

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24020R

Teilbestand: 125

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6AR05

Teilbestand: 15920

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKR240/04

Teilbestand: 2385

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 320A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6D

Teilbestand: 23917

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16Q

Teilbestand: 12884

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S16JR

Teilbestand: 12966

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR70D05

Teilbestand: 9641

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKN240/18

Teilbestand: 2375

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S70KR

Teilbestand: 9584

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 70A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300DR

Teilbestand: 1972

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320K

Teilbestand: 2022

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 320A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2540R

Teilbestand: 9606

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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