Dioden - Gleichrichter - Einzeln

GKR26/14

Teilbestand: 12958

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKR26/16

Teilbestand: 12921

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/04

Teilbestand: 13144

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/08

Teilbestand: 13937

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/16

Teilbestand: 12900

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB02SLT06-214

Teilbestand: 1697

GKR26/08

Teilbestand: 13917

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB05SLT12-220

Teilbestand: 15869

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GKR26/04

Teilbestand: 18368

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/12

Teilbestand: 12909

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKR26/12

Teilbestand: 12907

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB10SLT12-214

Teilbestand: 1651

GB10SLT12-220

Teilbestand: 7775

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

MBRH30030RL

Teilbestand: 1344

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GKN26/14

Teilbestand: 12907

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRH30020L

Teilbestand: 1318

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRH20045L

Teilbestand: 1367

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GAP3SLT33-220FP

Teilbestand: 4393

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 3300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 300mA, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

MBRH20030RL

Teilbestand: 1318

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GB01SLT12-252

Teilbestand: 20729

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

MBRH20040L

Teilbestand: 5076

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GB01SLT12-214

Teilbestand: 33295

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GB02SLT12-252

Teilbestand: 37881

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GB05SLT12-252

Teilbestand: 17108

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GB10SLT12-252

Teilbestand: 9012

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,