Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

AO4840L_102

Teilbestand: 2965

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4818BL_102

Teilbestand: 2970

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4616L_103

Teilbestand: 2955

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.1A, 10V, 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA,

AO4614BL_DELTA

Teilbestand: 2928

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4616L

Teilbestand: 2992

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.1A, 10V, 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA,

AO4614BL

Teilbestand: 3018

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4614BL_201

Teilbestand: 3023

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4600CL

Teilbestand: 3010

AO4612L

Teilbestand: 3004

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, 105 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4600C

Teilbestand: 3327

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA,

AOC3864

Teilbestand: 2968

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

AOC3860

Teilbestand: 2997

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

AON6884L_002

Teilbestand: 2922

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

AOD604

Teilbestand: 2914

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO8830

Teilbestand: 2957

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

AO4946

Teilbestand: 2984

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4622

Teilbestand: 2934

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

AOD607_DELTA

Teilbestand: 2968

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, 37 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

AOD607_001

Teilbestand: 2916

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc),

AON5802B_101

Teilbestand: 2938

AON5802ALS

Teilbestand: 2904

AON4807_101

Teilbestand: 2919

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AOC2802_001

Teilbestand: 2960

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AON2801L

Teilbestand: 2975

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO9926BL_101

Teilbestand: 2900

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

AO8801

Teilbestand: 2932

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO7600_001

Teilbestand: 2948

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 900mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

AO4813_002

Teilbestand: 2925

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO5804EL

Teilbestand: 2976

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO4606L_DELTA

Teilbestand: 3321

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4606L

Teilbestand: 2899

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO5600EL

Teilbestand: 2971

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AON7812

Teilbestand: 2939

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AON7932_101

Teilbestand: 2926

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, 8.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AON6920_001

Teilbestand: 2964

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, 26.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AON4807_001

Teilbestand: 2926

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,