Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 8

AO4852

Teilbestand: 115960

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4886

Teilbestand: 2683

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7611

Teilbestand: 168239

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 18.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4803A

Teilbestand: 134931

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4614B

Teilbestand: 146451

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4813

Teilbestand: 174721

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4800B

Teilbestand: 189998

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4805

Teilbestand: 180636

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4630

Teilbestand: 137477

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.45V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4612

Teilbestand: 189775

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4840

Teilbestand: 161636

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6924

Teilbestand: 90862

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD609

Teilbestand: 192201

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2804

Teilbestand: 105804

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7804

Teilbestand: 120975

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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