Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

AO4806L

Teilbestand: 2910

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO4803L

Teilbestand: 2914

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4805L_101

Teilbestand: 2939

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

AO4803AL

Teilbestand: 2963

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO4801L

Teilbestand: 2906

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

AO4801AS

Teilbestand: 2971

AO4801AL

Teilbestand: 2897

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

AO4801AL_001

Teilbestand: 2928

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

AO4800L

Teilbestand: 2903

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AO4616L_102

Teilbestand: 3349

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4614B_101

Teilbestand: 2973

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4614BL_103

Teilbestand: 2888

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4613_001

Teilbestand: 2944

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AON6971

Teilbestand: 2884

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AO4952

Teilbestand: 190149

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AOC2800

Teilbestand: 2871

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate,

AON6974A

Teilbestand: 2934

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AON6970

Teilbestand: 2849

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A, 42A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AON6928

Teilbestand: 2893

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AON2809

Teilbestand: 2941

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

AON6973A

Teilbestand: 2858

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AON7826

Teilbestand: 2861

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

Teilbestand: 2874

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

AO5800E

Teilbestand: 2920

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

Teilbestand: 2939

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO4618

Teilbestand: 192153

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AON6974

Teilbestand: 2877

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AON6936

Teilbestand: 2917

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AON6938

Teilbestand: 2882

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 33A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

Teilbestand: 2875

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AON3613

Teilbestand: 2846

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AON7902

Teilbestand: 2909

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 13A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AON7820

Teilbestand: 2905

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AON6922

Teilbestand: 2854

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A, 31A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.7V @ 250µA,

AON6918

Teilbestand: 2899

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, 26.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AON6910A

Teilbestand: 2864

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A, 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,