Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5820_101

Teilbestand: 2917

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON4605_001

Teilbestand: 2976

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3816_101

Teilbestand: 2894

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2801L#A

Teilbestand: 2910

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8822#A

Teilbestand: 2896

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926BL

Teilbestand: 2902

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8814#A

Teilbestand: 3370

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8810#A

Teilbestand: 2910

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8804_100

Teilbestand: 2966

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8801L

Teilbestand: 2934

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6808_101

Teilbestand: 2934

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804A_101

Teilbestand: 2888

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6800L_003

Teilbestand: 2966

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6802L_001

Teilbestand: 3346

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6601_001

Teilbestand: 2917

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4924L

Teilbestand: 2906

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4914L

Teilbestand: 2904

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4914_101

Teilbestand: 2904

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4884L_001

Teilbestand: 2962

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4852L

Teilbestand: 2894

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4854L_102

Teilbestand: 2971

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4850L

Teilbestand: 2977

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4842L

Teilbestand: 2887

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4828L

Teilbestand: 2944

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4830L

Teilbestand: 2941

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4822L_101

Teilbestand: 2926

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4822AL

Teilbestand: 2937

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4822AL_102

Teilbestand: 2930

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4821L

Teilbestand: 2889

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 850mV @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4822_101

Teilbestand: 2919

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4818BL_101

Teilbestand: 2886

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4818L

Teilbestand: 2884

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4812L_101

Teilbestand: 2974

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4812L

Teilbestand: 2904

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

Wunschzettel

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4812_101

Teilbestand: 2947

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4807L

Teilbestand: 2938

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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