Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

BFP405FH6327XTSA1

Teilbestand: 160725

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Teilbestand: 193871

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.6V, Häufigkeit - Übergang: 75GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 27dB, Leistung max: 75mW,

BFR380L3E6327XTMA1

Teilbestand: 129492

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 7.5dB ~ 16.5dB, Leistung max: 380mW,

BFR193L3E6327XTMA1

Teilbestand: 129

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 19dB, Leistung max: 580mW,

BFR360L3E6765XTMA1

Teilbestand: 144

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 11.5dB ~ 16dB, Leistung max: 210mW,

BFR460L3E6327XTMA1

Teilbestand: 158

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.8V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 200mW,

BFP182WE6327HTSA1

Teilbestand: 7324

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 250mW,

BF799WH6327XTSA1

Teilbestand: 7305

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Leistung max: 280mW,

BFG135AE6327XT

Teilbestand: 7307

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 14dB, Leistung max: 1W,

BF776H6327XTSA1

Teilbestand: 137870

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 200mW,

BFP520H6327XTSA1

Teilbestand: 100497

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Leistung max: 100mW,

BFR181E6327HTSA1

Teilbestand: 9961

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 175mW,

BFP760H6327XTSA1

Teilbestand: 146729

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz, Dazugewinnen: 16.5dB ~ 29dB, Leistung max: 240mW,

BFR340FH6327XTSA1

Teilbestand: 137024

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 28dB, Leistung max: 75mW,

BFP780H6327XTSA1

Teilbestand: 94012

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.1V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz, Dazugewinnen: 27dB, Leistung max: 600mW,

BFP840FESDH6327XTSA1

Teilbestand: 106450

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.6V, Häufigkeit - Übergang: 85GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz, Dazugewinnen: 35dB, Leistung max: 75mW,

BFP420FH6327XTSA1

Teilbestand: 108175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19.5dB, Leistung max: 160mW,

BFP843H6327XTSA1

Teilbestand: 125188

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.25V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 24.5dB, Leistung max: 125mW,

BFP640ESDH6327XTSA1

Teilbestand: 151539

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 30dB, Leistung max: 200mW,

BFP840ESDH6327XTSA1

Teilbestand: 179204

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.25V, Häufigkeit - Übergang: 80GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 75mW,

BFQ19SH6327XTSA1

Teilbestand: 126813

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 1W,

BFQ790H6327XTSA1

Teilbestand: 72212

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.1V, Häufigkeit - Übergang: 1.85GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 1.5W,

BFP196WH6327XTSA1

Teilbestand: 150199

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 19dB, Leistung max: 700mW,

BFR182WH6327XTSA1

Teilbestand: 105653

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 250mW,

BFS17WH6327XTSA1

Teilbestand: 150747

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,

BFP740FH6327XTSA1

Teilbestand: 143665

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 27.5dB, Leistung max: 160mW,

BFP193E6327HTSA1

Teilbestand: 16263

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 18dB, Leistung max: 580mW,

BFP740FESDH6327XTSA1

Teilbestand: 115243

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 47GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 31dB, Leistung max: 160mW,

BFP405H6327XTSA1

Teilbestand: 104690

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,

BFP193WH6327XTSA1

Teilbestand: 124410

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 20.5dB, Leistung max: 580mW,

BFR720L3RHE6327XTSA1

Teilbestand: 7258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 80mW,

BFR92WH6327XTSA1

Teilbestand: 7228

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 11.5dB ~ 17dB, Leistung max: 280mW,

BF799E6327HTSA1

Teilbestand: 7177

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Leistung max: 280mW,

BFP 405 H6433

Teilbestand: 7186

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,

BFP 740FESD E6327

Teilbestand: 7193

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 47GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 31dB, Leistung max: 160mW,

BFR 360F E6765

Teilbestand: 7259

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 210mW,