Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

BFP405E6327BTSA1

BFP405E6327BTSA1

Teilbestand: 7077

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,

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BFQ 19S E6327

BFQ 19S E6327

Teilbestand: 7072

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Dazugewinnen: 7dB ~ 11.5dB, Leistung max: 1W,

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BFP640E6327BTSA1

BFP640E6327BTSA1

Teilbestand: 7078

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 40GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 200mW,

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BFP460E6327HTSA1

BFP460E6327HTSA1

Teilbestand: 7097

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.8V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 26.5dB, Leistung max: 230mW,

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BFP 182 E7764

BFP 182 E7764

Teilbestand: 4765

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 250mW,

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BFR 360F E6327

BFR 360F E6327

Teilbestand: 7063

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 210mW,

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BFP 640 H6433

BFP 640 H6433

Teilbestand: 7120

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 40GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 200mW,

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BFP460E6433HTMA1

BFP460E6433HTMA1

Teilbestand: 7064

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.8V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 26.5dB, Leistung max: 230mW,

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BFP 420F E6327

BFP 420F E6327

Teilbestand: 7083

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19.5dB, Leistung max: 160mW,

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BFR 705L3RH E6327

BFR 705L3RH E6327

Teilbestand: 7100

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 39GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 40mW,

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BFS 360L6 E6327

BFS 360L6 E6327

Teilbestand: 7094

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 14.5dB, Leistung max: 210mW,

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BFS17WE6327HTSA1

BFS17WE6327HTSA1

Teilbestand: 7037

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,

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BFS17SE6327HTSA1

BFS17SE6327HTSA1

Teilbestand: 7076

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,

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BFR183E6327HTSA1

BFR183E6327HTSA1

Teilbestand: 24334

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 450mW,

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BFP540FESDH6327XTSA1

BFP540FESDH6327XTSA1

Teilbestand: 186845

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 250mW,

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BFP183WH6327XTSA1

BFP183WH6327XTSA1

Teilbestand: 178582

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 450mW,

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BFS483H6327XTSA1

BFS483H6327XTSA1

Teilbestand: 110689

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 450mW,

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BFR182E6327HTSA1

BFR182E6327HTSA1

Teilbestand: 24318

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 18dB, Leistung max: 250mW,

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BFP183E7764HTSA1

BFP183E7764HTSA1

Teilbestand: 25816

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 250mW,

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BFS481H6327XTSA1

BFS481H6327XTSA1

Teilbestand: 192818

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 175mW,

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BFP650H6327XTSA1

BFP650H6327XTSA1

Teilbestand: 196865

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 37GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 21.5dB, Leistung max: 500mW,

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BFR740L3RHE6327XTSA1

BFR740L3RHE6327XTSA1

Teilbestand: 32341

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Dazugewinnen: 24.5dB, Leistung max: 160mW,

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BFP650FH6327XTSA1

BFP650FH6327XTSA1

Teilbestand: 174279

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 21.5dB, Leistung max: 500mW,

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BFR193WH6327XTSA1

BFR193WH6327XTSA1

Teilbestand: 183155

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 16dB, Leistung max: 580mW,

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BFR93AE6327HTSA1

BFR93AE6327HTSA1

Teilbestand: 45159

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 14.5dB, Leistung max: 300mW,

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BFR106E6327HTSA1

BFR106E6327HTSA1

Teilbestand: 45207

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 13dB, Leistung max: 700mW,

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BFR193E6327HTSA1

BFR193E6327HTSA1

Teilbestand: 58135

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 15dB, Leistung max: 580mW,

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BFR93AWH6327XTSA1

BFR93AWH6327XTSA1

Teilbestand: 167714

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 15.5dB, Leistung max: 300mW,

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BFR360FH6327XTSA1

BFR360FH6327XTSA1

Teilbestand: 193913

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 210mW,

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BFP420H6327XTSA1

BFP420H6327XTSA1

Teilbestand: 152889

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 160mW,

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BFP540H6327XTSA1

BFP540H6327XTSA1

Teilbestand: 176107

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 250mW,

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BFS17PE6327HTSA1

BFS17PE6327HTSA1

Teilbestand: 163553

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,

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BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1

Teilbestand: 193829

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.6V, Dazugewinnen: 25.5dB, Leistung max: 125mW,

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BFR340L3E6327XTMA1

BFR340L3E6327XTMA1

Teilbestand: 117158

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 60mW,

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