Transistoren - Bipolar (BJT) - RF | Diskrete Halbleiterprodukte | 5

BFR 380F E6327

Teilbestand: 7253

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 13.5dB, Leistung max: 380mW,

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Infineon Technologies

BFP 720F E6327

Teilbestand: 7235

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 28dB, Leistung max: 100mW,

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Infineon Technologies

BFP 640FESD E6327

Teilbestand: 4797

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 8B ~ 30.5dB, Leistung max: 200mW,

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Infineon Technologies

BFP 720FESD E6327

Teilbestand: 7245

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 29dB, Leistung max: 100mW,

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Infineon Technologies

BGR420H6327XTSA1

Teilbestand: 114762

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 13V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz, Leistung max: 120mW,

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Infineon Technologies

BGR405H6327XTSA1

Teilbestand: 7222

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz, Leistung max: 50mW,

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Infineon Technologies

BFY193PZZZA1

Teilbestand: 7242

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 13.5dB, Leistung max: 580mW,

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Infineon Technologies

BFR183WH6327XTSA1

Teilbestand: 7216

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 450mW,

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Infineon Technologies

BFP460H6433XTMA1

Teilbestand: 7182

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.8V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 26.5dB, Leistung max: 230mW,

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Infineon Technologies

BFP 196R E6327

Teilbestand: 7254

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 16.5dB, Leistung max: 700mW,

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Infineon Technologies

BF776E6327FTSA1

Teilbestand: 7192

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 200mW,

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Infineon Technologies

BFP405E6740HTSA1

Teilbestand: 5541

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,

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Infineon Technologies

BFP450E6433BTMA1

Teilbestand: 7253

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 24GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 450mW,

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Infineon Technologies

BFR 193W E6327

Teilbestand: 7252

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 16dB, Leistung max: 580mW,

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Infineon Technologies

BFR 183W E6327

Teilbestand: 7207

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 450mW,

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Infineon Technologies

BFR 182W E6327

Teilbestand: 7236

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 250mW,

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Infineon Technologies

BFP196WE6327HTSA1

Teilbestand: 7231

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 19dB, Leistung max: 700mW,

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Infineon Technologies

BFR 181W E6327

Teilbestand: 7188

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 175mW,

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Infineon Technologies

BFP193WE6327HTSA1

Teilbestand: 4737

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 20.5dB, Leistung max: 580mW,

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Infineon Technologies

BFP183WE6327BTSA1

Teilbestand: 7198

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 450mW,

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Infineon Technologies

BFP650E6327HTSA1

Teilbestand: 7220

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 37GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 21.5dB, Leistung max: 500mW,

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Infineon Technologies

BFP 405F E6327

Teilbestand: 7166

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Leistung max: 55mW,

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Infineon Technologies

BFP540ESDE6327HTSA1

Teilbestand: 7216

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 250mW,

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Infineon Technologies

BFP540E6327BTSA1

Teilbestand: 7240

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 250mW,

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Infineon Technologies

BFP 650F E6327

Teilbestand: 7159

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 21.5dB, Leistung max: 500mW,

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Infineon Technologies

BFP540FESDE6327

Teilbestand: 7196

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 250mW,

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Infineon Technologies

BFP620E7764BTSA1

Teilbestand: 7220

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 65GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 185mW,

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Infineon Technologies

BFP 520F E6327

Teilbestand: 7219

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Leistung max: 100mW,

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Infineon Technologies

BFP 540F E6327

Teilbestand: 7178

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 250mW,

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Infineon Technologies

BFR750L3RHE6327XTSA1

Teilbestand: 4729

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 37GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 360mW,

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Infineon Technologies

BFP 740F E6327

Teilbestand: 7178

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 27.5dB, Leistung max: 160mW,

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Infineon Technologies

BGB 540 E6327

Teilbestand: 7143

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 16dB ~ 17.5dB, Leistung max: 120mW,

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Infineon Technologies

BFP740E6327HTSA1

Teilbestand: 7235

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 27dB, Leistung max: 160mW,

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Infineon Technologies

BFS 481 E6327

Teilbestand: 7212

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 175mW,

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Infineon Technologies

BFS 483 E6327

Teilbestand: 7234

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 450mW,

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Infineon Technologies

BFS 466L6 E6327

Teilbestand: 7227

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, 9V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 17dB, Leistung max: 200mW, 210mW,

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