Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 11

IRFHM8363TRPBF

Teilbestand: 191314

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IPG20N04S4L11AATMA1

Teilbestand: 165940

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 15µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S4L11AATMA1

Teilbestand: 94288

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 28µA,

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Infineon Technologies

IRF7309TRPBF

Teilbestand: 150382

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG20N04S408ATMA1

Teilbestand: 104533

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 30µA,

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Infineon Technologies

IPG20N10S4L35AATMA1

Teilbestand: 155833

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 16µA,

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Infineon Technologies

IPG20N04S412ATMA1

Teilbestand: 172931

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 15µA,

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Infineon Technologies

IPG20N10S436AATMA1

Teilbestand: 139478

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 16µA,

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Infineon Technologies

IRF7331TRPBF

Teilbestand: 196280

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7104TRPBF

Teilbestand: 104561

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7379TRPBF

Teilbestand: 199093

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG20N10S4L22AATMA1

Teilbestand: 108999

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF6802SDTRPBF

Teilbestand: 60962

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 35µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S4L26ATMA1

Teilbestand: 197280

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 10µA,

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Infineon Technologies

IRLHS6376TRPBF

Teilbestand: 115333

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 10µA,

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Infineon Technologies

IRF7902TRPBF

Teilbestand: 168640

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A, 9.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.25V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7311TRPBF

Teilbestand: 168715

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7316TRPBF

Teilbestand: 172337

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7904TRPBF

Teilbestand: 188754

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.25V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7303TRPBF

Teilbestand: 185377

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG20N04S408AATMA1

Teilbestand: 101294

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 30µA,

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Infineon Technologies

IRF7342TRPBF

Teilbestand: 156976

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7105TRPBF

Teilbestand: 196914

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG16N10S4L61AATMA1

Teilbestand: 195154

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 90µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S4L14ATMA2

Teilbestand: 126778

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

IRF7304

Teilbestand: 40531

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF8313TRPBF

Teilbestand: 190133

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRFH4251DTRPBF

Teilbestand: 49673

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 64A, 188A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 35µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S4L11ATMA1

Teilbestand: 97219

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 28µA,

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Infineon Technologies

IRF7341TRPBF

Teilbestand: 73259

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7319TRPBF

Teilbestand: 180145

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7389TRPBF

Teilbestand: 166810

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7907TRPBF

Teilbestand: 173843

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRFHM792TRPBF

Teilbestand: 82378

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10µA,

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Infineon Technologies

IRF7506TRPBF

Teilbestand: 149700

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9362TRPBF

Teilbestand: 188725

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 25µA,

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