Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

BSG0811NDATMA1

Teilbestand: 73789

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, 41A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSG0813NDIATMA1

Teilbestand: 73114

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, 33A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSC0910NDIATMA1

Teilbestand: 78348

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, 31A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSO303PHXUMA1

Teilbestand: 2618

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 100µA,

BSO203PHXUMA1

Teilbestand: 105084

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 100µA,

BSC0921NDIATMA1

Teilbestand: 108715

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 31A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSC750N10NDGATMA1

Teilbestand: 2515

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 12µA,

BSC0993NDATMA1

Teilbestand: 133898

FET-Typ: 2 N-Channel, FET-Funktion: Standard, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSC072N03LDGATMA1

Teilbestand: 2560

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

BSZ0910NDXTMA1

Teilbestand: 2500

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSZ0909NDXTMA1

Teilbestand: 154990

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSZ215CHXTMA1

Teilbestand: 143103

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 110µA,

BSC0923NDIATMA1

Teilbestand: 151164

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 32A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSC0924NDIATMA1

Teilbestand: 152816

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 32A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSO604NS2XUMA1

Teilbestand: 154962

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 30µA,

BSO207PHXUMA1

Teilbestand: 161068

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 44µA,

BSO211PHXUMA1

Teilbestand: 164134

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 67 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 25µA,

BSO615CGHUMA1

Teilbestand: 2523

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 20µA,

BSO612CVGHUMA1

Teilbestand: 171470

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 20µA,

BSZ15DC02KDHXTMA1

Teilbestand: 166896

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 110µA,

BSD840NH6327XTSA1

Teilbestand: 124088

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 750mV @ 1.6µA,

BSC0925NDATMA1

Teilbestand: 145035

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

BSL308PEH6327XTSA1

Teilbestand: 149358

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 11µA,

BSL306NH6327XTSA1

Teilbestand: 118173

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 11µA,

BSL215CH6327XTSA1

Teilbestand: 146349

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 3.7µA,

BSL207NH6327XTSA1

Teilbestand: 152011

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 11µA,

BSL314PEH6327XTSA1

Teilbestand: 198370

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 6.3µA,

BSL205NH6327XTSA1

Teilbestand: 102698

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 11µA,

BSL806NH6327XTSA1

Teilbestand: 103295

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 750mV @ 11µA,

BSL214NH6327XTSA1

Teilbestand: 161005

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 3.7µA,

BSL316CH6327XTSA1

Teilbestand: 148518

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 3.7µA,

BSD235CH6327XTSA1

Teilbestand: 113505

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 950mA, 530mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.6µA,

BSD340NH6327XTSA1

Teilbestand: 125807

BSD223PH6327XTSA1

Teilbestand: 154052

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 390mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.5µA,

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Teilbestand: 163

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 50A, 15V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5.55V @ 20mA,

IRF7342PBF

Teilbestand: 59591

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,