Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 11

BSL207NL6327HTSA1

Teilbestand: 2845

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSL308PEL6327HTSA1

Teilbestand: 3339

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSL308CL6327HTSA1

Teilbestand: 2842

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSL314PEL6327HTSA1

Teilbestand: 3308

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 6.3µA,

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Infineon Technologies

BSD840N L6327

Teilbestand: 2834

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 750mV @ 1.6µA,

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Infineon Technologies

BSL306NL6327HTSA1

Teilbestand: 3344

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSL315PL6327HTSA1

Teilbestand: 2825

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSL215CL6327HTSA1

Teilbestand: 2784

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 3.7µA,

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Infineon Technologies

BSL215PL6327HTSA1

Teilbestand: 2866

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSL205NL6327HTSA1

Teilbestand: 5353

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSD235N L6327

Teilbestand: 3373

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 950mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.6µA,

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Infineon Technologies

BSL214NL6327HTSA1

Teilbestand: 2788

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 3.7µA,

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Infineon Technologies

BSL316CL6327HTSA1

Teilbestand: 2849

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 3.7µA,

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Infineon Technologies

BSD235C L6327

Teilbestand: 2795

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 950mA, 530mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.6µA,

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Infineon Technologies

BTS7904BATMA1

Teilbestand: 2849

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 40µA,

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Infineon Technologies

BSD223P L6327

Teilbestand: 2843

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 390mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.5µA,

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Infineon Technologies

BSO200N03

Teilbestand: 2769

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 13µA,

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Infineon Technologies

BSO350N03

Teilbestand: 2710

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 6µA,

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Infineon Technologies

BSO150N03

Teilbestand: 2753

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 25µA,

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Infineon Technologies

BSO303PNTMA1

Teilbestand: 2695

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 100µA,

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Infineon Technologies

BSO615CT

Teilbestand: 2762

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BSO4804T

Teilbestand: 2714

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 30µA,

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Infineon Technologies

BSO612CV

Teilbestand: 2724

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BSO615N

Teilbestand: 2704

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BSO215C

Teilbestand: 2649

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 10µA,

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Infineon Technologies

BSO4804

Teilbestand: 2708

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 30µA,

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Infineon Technologies

BSO207PNTMA1

Teilbestand: 2681

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 40µA,

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Infineon Technologies

BSO203PNTMA1

Teilbestand: 2677

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 100µA,

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Infineon Technologies

BSO204PNTMA1

Teilbestand: 2710

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 60µA,

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Infineon Technologies

BSD223P

Teilbestand: 3281

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 390mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.5µA,

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Infineon Technologies

BSD235NH6327XTSA1

Teilbestand: 196176

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 950mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1.6µA,

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Infineon Technologies

BSO211PNTMA1

Teilbestand: 2608

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 25µA,

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Infineon Technologies

BSO220N03MDGXUMA1

Teilbestand: 21576

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

BSC150N03LDGATMA1

Teilbestand: 32315

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

BSO150N03MDGXUMA1

Teilbestand: 53402

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

BSG0810NDIATMA1

Teilbestand: 66407

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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