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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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IDH15S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

Teilbestand: 889

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

Wunschzettel
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

Teilbestand: 20456

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 12A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

Wunschzettel
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

Teilbestand: 817

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

Wunschzettel
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

Teilbestand: 891

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

Wunschzettel
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

Teilbestand: 855

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

Wunschzettel
IDH05SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

Teilbestand: 839

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

Wunschzettel
IDH02SG120XKSA1
Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

Teilbestand: 831

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

Wunschzettel
IDH10SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

Teilbestand: 816

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

Teilbestand: 813

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

Wunschzettel
IDH10S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

Teilbestand: 888

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

Teilbestand: 810

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 7.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 7.5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDH12SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

Teilbestand: 900

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 12A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDB06S60C
Infineon Technologies

IDB06S60C

Teilbestand: 5151

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

Teilbestand: 811

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDH06SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

Teilbestand: 5122

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

Teilbestand: 828

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDH09SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

Teilbestand: 812

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 9A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 9A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDB10S60C
Infineon Technologies

IDB10S60C

Teilbestand: 875

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDD04SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

Teilbestand: 834

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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IDH06S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

Teilbestand: 502

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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SIDC06D60C6
Infineon Technologies

SIDC06D60C6

Teilbestand: 477

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 20A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC78D170HX1SA1
Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

Teilbestand: 521

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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IDH04S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

Teilbestand: 556

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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SIDC09D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

Teilbestand: 552

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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SIDC30D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

Teilbestand: 571

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 75A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC73D170E6X1SA2
Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

Teilbestand: 517

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC16D60SIC3
Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

Teilbestand: 502

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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SIDC56D120E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

Teilbestand: 5106

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 75A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC23D120F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

Teilbestand: 552

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 25A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC09D60E6YX1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

Teilbestand: 523

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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SIDC08D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

Teilbestand: 497

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 30A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC14D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

Teilbestand: 543

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 50A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC08D120H6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

Teilbestand: 504

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 10A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC56D170E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

Teilbestand: 577

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 75A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SIDC09D60E6 UNSAWN
Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

Teilbestand: 518

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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SIDC02D60F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

Teilbestand: 525

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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