Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 15

SIDC07D60AF6X1SA1

Teilbestand: 504

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 22.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 22.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC42D170E6X1SA2

Teilbestand: 549

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 50A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC46D170HX1SA2

Teilbestand: 548

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 75A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC04D60F6X1SA3

Teilbestand: 504

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 9A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 9A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC23D60E6X1SA4

Teilbestand: 484

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 50A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC03D60C6X1SA2

Teilbestand: 552

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 10A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC53D120H6X1SA3

Teilbestand: 476

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC20D60C6

Teilbestand: 567

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 75A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC14D60F6X1SA2

Teilbestand: 533

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 45A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 45A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SDT08S60

Teilbestand: 502

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SDD04S60

Teilbestand: 556

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SDB06S60

Teilbestand: 477

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SIDC14D120F6X1SA3

Teilbestand: 565

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC161D170HX1SA2

Teilbestand: 473

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

IDH12S60CAKSA1

Teilbestand: 542

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SIDC14D60E6YX1SA1

Teilbestand: 550

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 30A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

MMBD914LT3HTMA1

Teilbestand: 5105

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

SIDC02D60C6X1SA4

Teilbestand: 474

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 6A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC01D60C6

Teilbestand: 468

Diodentyp: Standard, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC01D120H6

Teilbestand: 5086

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 600mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 600mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC81D120E6X1SA4

Teilbestand: 506

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SDT05S60

Teilbestand: 494

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SIDC30D120F6X1SA2

Teilbestand: 491

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC08D120F6X1SA3

Teilbestand: 502

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 7A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 7A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC81D120H6X1SA2

Teilbestand: 5071

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC03D60F6X1SA2

Teilbestand: 474

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

IDH16S60CAKSA1

Teilbestand: 466

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 16A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SIDC14D60E6X1SA1

Teilbestand: 5128

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 30A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC56D120F6X1SA1

Teilbestand: 552

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 75A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC56D60E6X1SA1

Teilbestand: 541

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

SIDC11D60SIC3

Teilbestand: 494

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SDT10S60

Teilbestand: 5047

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SDT10S30

Teilbestand: 246

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SDT12S60

Teilbestand: 204

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SDT04S60

Teilbestand: 197

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

SDT06S60

Teilbestand: 227

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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