Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 15

HFA08TB60PBF

Teilbestand: 56853

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 55ns,

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Infineon Technologies

IDH04G65C5XKSA2

Teilbestand: 30731

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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Infineon Technologies

D255K06BXPSA1

Teilbestand: 9498

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 255A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

D400N20BXPSA1

Teilbestand: 5012

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

MMBD914LT1HTSA1

Teilbestand: 159220

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

IDW30E60AFKSA1

Teilbestand: 35957

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 143ns,

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Infineon Technologies

SMBD914E6327HTSA1

Teilbestand: 101155

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

IDD09E60BUMA1

Teilbestand: 199616

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 19.3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 9A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Infineon Technologies

IDD15E60BUMA2

Teilbestand: 198474

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 29.2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 87ns,

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