Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 15

BAT 64-02W E6327

Teilbestand: 537

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAT 60B E6433

Teilbestand: 491

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS 70-02W E6327

Teilbestand: 550

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ps,

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Infineon Technologies

BAS 52-02V E6327

Teilbestand: 550

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 750mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS5202VE6127XT

Teilbestand: 536

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 750mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS16WE6433HTMA1

Teilbestand: 496

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

BAS 16-02W E6327

Teilbestand: 477

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

BAS 16-02V E6327

Teilbestand: 526

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

BAW78DE6327HTSA1

Teilbestand: 204

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1µs,

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Infineon Technologies

BAS70E6327HTSA1

Teilbestand: 16272

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ps,

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Infineon Technologies

BAT60BE6327HTSA1

Teilbestand: 113855

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAT6202VH6327XTSA1

Teilbestand: 120733

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Infineon Technologies

BAS7002VH6327XTSA1

Teilbestand: 143336

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ps,

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Infineon Technologies

BAS116E6327HTSA1

Teilbestand: 175339

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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Infineon Technologies

BAS3010B03WE6327HTSA1

Teilbestand: 146342

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS3005B02VH6327XTSA1

Teilbestand: 45202

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS21E6327HTSA1

Teilbestand: 100627

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Infineon Technologies

BAS3005A02VH6327XTSA1

Teilbestand: 51646

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAT6402VH6327XTSA1

Teilbestand: 157686

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAT5402VH6327XTSA1

Teilbestand: 105719

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAT64E6327HTSA1

Teilbestand: 51683

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAS3010A03WE6327HTSA1

Teilbestand: 182577

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAT54E6327HTSA1

Teilbestand: 58747

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAS16E6327HTSA1

Teilbestand: 152260

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

BAT5403WE6327HTSA1

Teilbestand: 180255

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAS1603WE6327HTSA1

Teilbestand: 152583

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

BAS140WE6327HTSA1

Teilbestand: 112661

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ps,

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Infineon Technologies

BAT60AE6327HTSA1

Teilbestand: 152048

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS170WE6327HTSA1

Teilbestand: 101110

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ps,

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Infineon Technologies

BAS5202VH6327XTSA1

Teilbestand: 145516

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 750mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAT165E6327HTSA1

Teilbestand: 150808

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 750mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 750mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS2103WE6327HTSA1

Teilbestand: 131599

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Infineon Technologies

BAW78DH6327XTSA1

Teilbestand: 107480

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1µs,

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Infineon Technologies

BAS3005S02LRHE6327XTSA1

Teilbestand: 177455

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAT5402LRHE6327XTSA1

Teilbestand: 122058

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAS4002LE6327XTMA1

Teilbestand: 186965

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ps,

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