Dioden - Gleichrichter - Einzeln

IDH08G65C5XKSA2

Teilbestand: 17096

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA2

Teilbestand: 51817

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GATELEADWHRD762XPSA1

Teilbestand: 194

IDH04G65C6XKSA1

Teilbestand: 31780

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GATELEADWHBK750XXPSA1

Teilbestand: 166

IDH03G65C5XKSA2

Teilbestand: 38597

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDL08G65C5XUMA2

Teilbestand: 167

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDK04G65C5XTMA2

Teilbestand: 62465

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA2

Teilbestand: 207

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH04SG60CXKSA2

Teilbestand: 216

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA2

Teilbestand: 148

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDK08G65C5XTMA2

Teilbestand: 219

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH03SG60CXKSA2

Teilbestand: 141

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH05G65C5XKSA2

Teilbestand: 217

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA2

Teilbestand: 78467

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 3A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDL06G65C5XUMA2

Teilbestand: 164

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDD04SG60CXTMA2

Teilbestand: 217

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA2

Teilbestand: 197

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GATELEADWHBU445XXPSA1

Teilbestand: 130

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

Teilbestand: 222

IDW30G65C5XKSA1

Teilbestand: 5618

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDW24G65C5BXKSA2

Teilbestand: 8231

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA2

Teilbestand: 13701

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH05SG60CXKSA2

Teilbestand: 169

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA2

Teilbestand: 28769

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 9A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 9A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDW20G65C5BXKSA2

Teilbestand: 9329

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GATELEADWHBN661XXPSA1

Teilbestand: 133

IDL04G65C5XUMA2

Teilbestand: 178

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 4A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDW20G65C5XKSA1

Teilbestand: 7363

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDW40G65C5BXKSA2

Teilbestand: 4935

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDD03SG60CXTMA2

Teilbestand: 202

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 3A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH16G65C5XKSA2

Teilbestand: 9608

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 16A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH06G65C6XKSA1

Teilbestand: 25253

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDP30E65D1XKSA1

Teilbestand: 46102

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 64ns,

IDP1301GXUMA1

Teilbestand: 50176

D911SH45T

Teilbestand: 250

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 4500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1140A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 6V @ 2500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),