Dioden - Gleichrichter - Einzeln

D4810N28TVFXPSA1

Teilbestand: 136

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 2800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4810A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.078V @ 4000A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D950N18TXPSA1

Teilbestand: 149

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 950A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.12V @ 650A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D650N02TXPSA1

Teilbestand: 110

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 650A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 450A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GLHUELSE1627XPSA1

Teilbestand: 165

GLHUELSE1626XPSA1

Teilbestand: 165

D8320N06TVFXPSA1

Teilbestand: 169

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8320A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 795mV @ 4000A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC105D120H8X1SA1

Teilbestand: 176

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 45A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N22TXPSA1

Teilbestand: 123

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 2200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 820A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 750A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D650N06TXPSA1

Teilbestand: 127

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 650A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 450A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC06D120H8X1SA2

Teilbestand: 128

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 7.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.97V @ 7.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1800N48TVFXPSA1

Teilbestand: 135

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 4800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1800A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.32V @ 1500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC10D120H8X1SA2

Teilbestand: 107

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.97V @ 7.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1230N16TXPSA1

Teilbestand: 139

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1230A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.063V @ 800A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D8320N04TVFXPSA1

Teilbestand: 81

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8320A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 795mV @ 4000A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1230N14TXPSA1

Teilbestand: 108

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1230A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.063V @ 800A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D970N06TXPSA1

Teilbestand: 116

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 970A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 750A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D950N22TXPSA1

Teilbestand: 143

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 2200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 950A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.12V @ 650A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDC73D120T6MX1SA2

Teilbestand: 85

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.05V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP2302XUMA1

Teilbestand: 32762

IDC10S120C5X1SA1

Teilbestand: 6144

IDC20S120C5X1SA1

Teilbestand: 3497

DZ950N36KHPSA1

Teilbestand: 141

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 3600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 950A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3000A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DZ950N44KS02HPSA1

Teilbestand: 109

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 4400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 950A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DZ950N44KS01HPSA1

Teilbestand: 149

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 4400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 950A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDC15S120C5X1SA1

Teilbestand: 4576

IDM10G120C5XTMA1

Teilbestand: 15303

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 38A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

DZ950N44KHPSA1

Teilbestand: 183

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 4400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 950A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.78V @ 3000A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDM08G120C5XTMA1

Teilbestand: 19565

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.95V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDM05G120C5XTMA1

Teilbestand: 27245

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDW32G65C5BXKSA2

Teilbestand: 6228

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 16A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDD06SG60CXTMA2

Teilbestand: 218

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA2

Teilbestand: 102435

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA2

Teilbestand: 15229

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 9A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 9A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDK06G65C5XTMA2

Teilbestand: 43148

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

IDH06G65C5XKSA2

Teilbestand: 22824

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

GATELEADWHRD394XXPSA1

Teilbestand: 172