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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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PMEG3002EJ,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3002EJ,115

Teilbestand: 104956

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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PMEG4010EP,115
Nexperia USA Inc.

PMEG4010EP,115

Teilbestand: 137733

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2005AEL,315
Nexperia USA Inc.

PMEG2005AEL,315

Teilbestand: 161822

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 440mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4002AESFYL
Nexperia USA Inc.

PMEG4002AESFYL

Teilbestand: 122155

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 525mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.25ns,

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PMEG3030BEP,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3030BEP,115

Teilbestand: 116030

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4020ETP,115
Nexperia USA Inc.

PMEG4020ETP,115

Teilbestand: 175863

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2020EH,115
Nexperia USA Inc.

PMEG2020EH,115

Teilbestand: 126421

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 525mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3010EH,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3010EH,115

Teilbestand: 139918

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4010EJ,115
Nexperia USA Inc.

PMEG4010EJ,115

Teilbestand: 121080

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3010CEH,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3010CEH,115

Teilbestand: 178642

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG60T10ELRX
Nexperia USA Inc.

PMEG60T10ELRX

Teilbestand: 25839

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 13ns,

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PMEG4020EP,115
Nexperia USA Inc.

PMEG4020EP,115

Teilbestand: 188546

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG1020EA,115
Nexperia USA Inc.

PMEG1020EA,115

Teilbestand: 188205

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG1020EH,115
Nexperia USA Inc.

PMEG1020EH,115

Teilbestand: 145672

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3005ET,215
Nexperia USA Inc.

PMEG3005ET,215

Teilbestand: 193627

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG60T20ELPX
Nexperia USA Inc.

PMEG60T20ELPX

Teilbestand: 32266

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 14ns,

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PMEG2005AEA,115
Nexperia USA Inc.

PMEG2005AEA,115

Teilbestand: 199492

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4005EGWX
Nexperia USA Inc.

PMEG4005EGWX

Teilbestand: 115494

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4002EB,115
Nexperia USA Inc.

PMEG4002EB,115

Teilbestand: 126810

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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PMEG2010BEA,115
Nexperia USA Inc.

PMEG2010BEA,115

Teilbestand: 134536

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2005EB,115
Nexperia USA Inc.

PMEG2005EB,115

Teilbestand: 113289

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3020EJ,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3020EJ,115

Teilbestand: 109719

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG6020AELPX
Nexperia USA Inc.

PMEG6020AELPX

Teilbestand: 140659

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 9ns,

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PMEG6020EPASX
Nexperia USA Inc.

PMEG6020EPASX

Teilbestand: 109999

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 575mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 5.5ns,

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PMEG3010EB,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3010EB,115

Teilbestand: 118138

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG050V150EPDZ
Nexperia USA Inc.

PMEG050V150EPDZ

Teilbestand: 155003

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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PMEG2010AEB,115
Nexperia USA Inc.

PMEG2010AEB,115

Teilbestand: 113343

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2015EJ,115
Nexperia USA Inc.

PMEG2015EJ,115

Teilbestand: 120552

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 660mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG6030ETPX
Nexperia USA Inc.

PMEG6030ETPX

Teilbestand: 169216

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 12ns,

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RB520CS30L,315
Nexperia USA Inc.

RB520CS30L,315

Teilbestand: 117306

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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PMEG4005EJ,115
Nexperia USA Inc.

PMEG4005EJ,115

Teilbestand: 117848

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3002AEB,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3002AEB,115

Teilbestand: 147592

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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PMEG45U10EPDZ
Nexperia USA Inc.

PMEG45U10EPDZ

Teilbestand: 102328

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 34ns,

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PMEG3005EB,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3005EB,115

Teilbestand: 164063

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3020ER,115
Nexperia USA Inc.

PMEG3020ER,115

Teilbestand: 154894

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMBD914,215
Nexperia USA Inc.

PMBD914,215

Teilbestand: 184039

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 215mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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