Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 13

PMEG3020BEP,115

Teilbestand: 132467

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010ER,115

Teilbestand: 150495

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMLL4148L,115

Teilbestand: 178433

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

RB521CS30L,315

Teilbestand: 143863

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010ET,215

Teilbestand: 195417

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG6030EVPX

Teilbestand: 131797

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 475mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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PMEG3010BER,115

Teilbestand: 187822

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3015EH,115

Teilbestand: 131437

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4005ET,215

Teilbestand: 104121

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG6020ER,115

Teilbestand: 142303

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2010EA,115

Teilbestand: 111736

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4005AEA,115

Teilbestand: 109395

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG4010AESBYL

Teilbestand: 132220

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 505mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3.1ns,

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PMEG10020ELRX

Teilbestand: 137936

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3.7ns,

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PMEG2010AEH,115

Teilbestand: 122553

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 430mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2020EPK,315

Teilbestand: 146714

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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PMEG3020EH,115

Teilbestand: 105194

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3010BEA,115

Teilbestand: 104588

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG6020AELRX

Teilbestand: 101741

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 9ns,

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PMEG4010BEA,115

Teilbestand: 134603

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG060V100EPDZ

Teilbestand: 116531

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 33ns,

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PMEG6020EPA,115

Teilbestand: 126606

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 575mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 78ns,

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PMEG4030ER,115

Teilbestand: 162766

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005EH,115

Teilbestand: 199793

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2020EJ,115

Teilbestand: 150759

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 525mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4030EP,115

Teilbestand: 114073

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG6045ETPX

Teilbestand: 171301

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 4.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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PMEG3030EP,115

Teilbestand: 111386

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3010AESBYL

Teilbestand: 162270

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3.5ns,

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PMEG2010EA,135

Teilbestand: 168763

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4050EP,115

Teilbestand: 115367

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010ER,115

Teilbestand: 196605

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

RB751S40,115

Teilbestand: 177472

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010ER,115

Teilbestand: 105202

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3050EP,115

Teilbestand: 190619

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6002ELDYL

Teilbestand: 176844

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4.5ns,

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