Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 21dB, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Leistung max: 1W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 43GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Leistung max: 136mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 22.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 18GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 15.5dB ~ 18.5dB, Leistung max: 230mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 70GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 24dB, Leistung max: 136mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 200W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 80W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 145W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 34W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Leistung max: 2.1W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 18GHz, Leistung max: 600mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 135mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Leistung max: 2.25W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Leistung max: 300mW,
