Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 54mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 18.3dB, Leistung max: 210mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 135mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 60mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Leistung max: 1W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 1.9GHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Leistung max: 700mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 32mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 380mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz, Leistung max: 380mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 1.9GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 17GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 22dB, Leistung max: 16mW,
