Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

BFG425W,115

Teilbestand: 7017

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 135mW,

BFG31,115

Teilbestand: 7034

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Leistung max: 1W,

BFR520T,115

Teilbestand: 7034

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Leistung max: 150mW,

BFG505/X,215

Teilbestand: 7042

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Leistung max: 150mW,

BFG540W,115

Teilbestand: 7042

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Leistung max: 500mW,

BFU550WX

Teilbestand: 153806

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 450mW,

BLT81,115

Teilbestand: 84249

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9.5V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 2W,

BFU730LXZ

Teilbestand: 173800

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3V, Häufigkeit - Übergang: 53GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz, Dazugewinnen: 15.8dB, Leistung max: 160mW,

BFU725F/N1,115

Teilbestand: 126922

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 55GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 24dB, Leistung max: 136mW,

BFU530AR

Teilbestand: 195287

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 450mW,

BFU520WX

Teilbestand: 172356

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 450mW,

BFU550R

Teilbestand: 128899

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 450mW,

BFU550AR

Teilbestand: 120050

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 450mW,

BFT25A,215

Teilbestand: 117253

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 32mW,

BFU668F,115

Teilbestand: 128327

ON5089,115

Teilbestand: 174634

ON5088,115

Teilbestand: 141028

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 55GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 12GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 136mW,

PBR941,215

Teilbestand: 141889

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 360mW,

MBC13900NT1

Teilbestand: 7345

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.5V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 22dB, Leistung max: 188mW,

ON5087,115

Teilbestand: 165790

MBC13900T1

Teilbestand: 7094

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.5V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz, Dazugewinnen: 15dB ~ 22dB, Leistung max: 188mW,

PBR951,215

Teilbestand: 7103

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 365mW,

PRF949,115

Teilbestand: 4725

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

PRF957,115

Teilbestand: 7145

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 270mW,

PRF947,115

Teilbestand: 156682

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 250mW,

PBR941B,215

Teilbestand: 156100

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Leistung max: 360mW,