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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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FQU2N90TU-WS
ON Semiconductor

FQU2N90TU-WS

Teilbestand: 10924

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 Ohm @ 850mA, 10V,

Wunschzettel
SFT1345-H
ON Semiconductor

SFT1345-H

Teilbestand: 1443

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 275 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wunschzettel
MCH3375-TL-H
ON Semiconductor

MCH3375-TL-H

Teilbestand: 1476

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 295 mOhm @ 800mA, 10V,

Wunschzettel
FDD9410-F085
ON Semiconductor

FDD9410-F085

Teilbestand: 10772

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel
SCH1343-TL-H
ON Semiconductor

SCH1343-TL-H

Teilbestand: 1491

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 2A, 4.5V,

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FDV301N-NB9V005
ON Semiconductor

FDV301N-NB9V005

Teilbestand: 1432

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V,

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SFT1350-H
ON Semiconductor

SFT1350-H

Teilbestand: 1459

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 9.5A, 10V,

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FDFS2P106A
ON Semiconductor

FDFS2P106A

Teilbestand: 118176

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 10V,

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FQD18N20V2TM
ON Semiconductor

FQD18N20V2TM

Teilbestand: 129242

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 7.5A, 10V,

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FQPF13N50C
ON Semiconductor

FQPF13N50C

Teilbestand: 1557

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

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NVD3055L170T4G-VF01
ON Semiconductor

NVD3055L170T4G-VF01

Teilbestand: 162864

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

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NVD5867NLT4G-TB01
ON Semiconductor

NVD5867NLT4G-TB01

Teilbestand: 1635

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 11A, 10V,

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FDS4488
ON Semiconductor

FDS4488

Teilbestand: 6246

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.9A, 10V,

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NTMFS4839NHT1G
ON Semiconductor

NTMFS4839NHT1G

Teilbestand: 1493

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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FDFMA3P029Z
ON Semiconductor

FDFMA3P029Z

Teilbestand: 1543

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 87 mOhm @ 3.3A, 10V,

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FDD4685-F085
ON Semiconductor

FDD4685-F085

Teilbestand: 10840

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 8.4A, 10V,

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FQD20N06TM
ON Semiconductor

FQD20N06TM

Teilbestand: 199643

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 63 mOhm @ 8.4A, 10V,

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NDB6030PL
ON Semiconductor

NDB6030PL

Teilbestand: 81478

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 19A, 10V,

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NTD65N03R-001
ON Semiconductor

NTD65N03R-001

Teilbestand: 1606

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

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FDS8876
ON Semiconductor

FDS8876

Teilbestand: 189278

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

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FDD3672
ON Semiconductor

FDD3672

Teilbestand: 95320

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 44A, 10V,

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FCD600N60Z
ON Semiconductor

FCD600N60Z

Teilbestand: 119597

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3.7A, 10V,

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NVD5C454NT4G
ON Semiconductor

NVD5C454NT4G

Teilbestand: 10836

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 40A, 10V,

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FDD7N60NZTM
ON Semiconductor

FDD7N60NZTM

Teilbestand: 144186

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V,

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FDD9510L-F085
ON Semiconductor

FDD9510L-F085

Teilbestand: 10762

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V,

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NTD18N06LT4G
ON Semiconductor

NTD18N06LT4G

Teilbestand: 193555

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 5V,

Wunschzettel
NTMS10P02R2G
ON Semiconductor

NTMS10P02R2G

Teilbestand: 102347

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 4.5V,

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NTD6414ANT4G
ON Semiconductor

NTD6414ANT4G

Teilbestand: 125630

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 32A, 10V,

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FQD1N60CTM
ON Semiconductor

FQD1N60CTM

Teilbestand: 187248

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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FDD5N50UTM-WS
ON Semiconductor

FDD5N50UTM-WS

Teilbestand: 10831

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 1.5A, 10V,

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FDB8832-F085
ON Semiconductor

FDB8832-F085

Teilbestand: 1633

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V,

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FDPF33N25T
ON Semiconductor

FDPF33N25T

Teilbestand: 41389

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wunschzettel
FDD8770
ON Semiconductor

FDD8770

Teilbestand: 170589

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 35A, 10V,

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HUF76633P3-F085
ON Semiconductor

HUF76633P3-F085

Teilbestand: 1507

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 39A, 10V,

Wunschzettel
FDS4675
ON Semiconductor

FDS4675

Teilbestand: 118203

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V,

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FQD2N80TM
ON Semiconductor

FQD2N80TM

Teilbestand: 147385

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V,

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