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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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NTP6411ANG
ON Semiconductor

NTP6411ANG

Teilbestand: 6129

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 77A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 72A, 10V,

Wunschzettel
NTD4909NAT4G
ON Semiconductor

NTD4909NAT4G

Teilbestand: 897

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
NTMFS4921NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4921NT1G

Teilbestand: 1106

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
NTMFS4827NET1G
ON Semiconductor

NTMFS4827NET1G

Teilbestand: 1138

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
NDF11N50ZG
ON Semiconductor

NDF11N50ZG

Teilbestand: 109047

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 520 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wunschzettel
NTD4960N-35G
ON Semiconductor

NTD4960N-35G

Teilbestand: 921

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
NTMFS5834NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5834NLT1G

Teilbestand: 1131

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

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NVMS10P02R2G
ON Semiconductor

NVMS10P02R2G

Teilbestand: 891

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta),

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CPH6347-TL-H
ON Semiconductor

CPH6347-TL-H

Teilbestand: 1154

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wunschzettel
NTD4906NA-35G
ON Semiconductor

NTD4906NA-35G

Teilbestand: 913

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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NDD03N60ZT4G
ON Semiconductor

NDD03N60ZT4G

Teilbestand: 176002

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

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NTD4959NH-35G
ON Semiconductor

NTD4959NH-35G

Teilbestand: 893

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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NTMKE4891NT1G
ON Semiconductor

NTMKE4891NT1G

Teilbestand: 6128

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26.7A (Ta), 151A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 29A, 10V,

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NDF04N60ZG
ON Semiconductor

NDF04N60ZG

Teilbestand: 178286

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

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FDB2614
ON Semiconductor

FDB2614

Teilbestand: 26957

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 62A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 31A, 10V,

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NTD4969N-35G
ON Semiconductor

NTD4969N-35G

Teilbestand: 1039

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.4A (Ta), 41A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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NTLUS3192PZTAG
ON Semiconductor

NTLUS3192PZTAG

Teilbestand: 851

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,

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NTLUS4195PZTBG
ON Semiconductor

NTLUS4195PZTBG

Teilbestand: 881

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

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NTB6411ANG
ON Semiconductor

NTB6411ANG

Teilbestand: 864

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 77A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 72A, 10V,

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FQA10N80_F109
ON Semiconductor

FQA10N80_F109

Teilbestand: 566

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.05 Ohm @ 4.9A, 10V,

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TLC530FTU
ON Semiconductor

TLC530FTU

Teilbestand: 768

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 330V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta),

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NTLJS1102PTBG
ON Semiconductor

NTLJS1102PTBG

Teilbestand: 630

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

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FQA90N10V2
ON Semiconductor

FQA90N10V2

Teilbestand: 659

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 105A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 52.5A, 10V,

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FDD5N50FTF_WS
ON Semiconductor

FDD5N50FTF_WS

Teilbestand: 590

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.55 Ohm @ 1.75A, 10V,

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FDS3680
ON Semiconductor

FDS3680

Teilbestand: 601

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 5.2A, 10V,

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IRFS644BYDTU_AS001
ON Semiconductor

IRFS644BYDTU_AS001

Teilbestand: 640

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 7A, 10V,

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FQPF6N90CT
ON Semiconductor

FQPF6N90CT

Teilbestand: 609

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V,

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FDS6680S
ON Semiconductor

FDS6680S

Teilbestand: 663

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 11.5A, 10V,

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NTLJD3182FZTAG
ON Semiconductor

NTLJD3182FZTAG

Teilbestand: 675

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

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NDS8410A
ON Semiconductor

NDS8410A

Teilbestand: 744

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 10.8A, 10V,

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IRFU220BTU_F080
ON Semiconductor

IRFU220BTU_F080

Teilbestand: 768

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

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FDB8878
ON Semiconductor

FDB8878

Teilbestand: 648

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 40A, 10V,

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FQPF18N20V2YDTU
ON Semiconductor

FQPF18N20V2YDTU

Teilbestand: 595

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V,

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NTB23N03RT4G
ON Semiconductor

NTB23N03RT4G

Teilbestand: 821

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,

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NTD4865NT4G
ON Semiconductor

NTD4865NT4G

Teilbestand: 656

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V,

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FCPF20N60TYDTU
ON Semiconductor

FCPF20N60TYDTU

Teilbestand: 586

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

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