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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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NTD85N02RT4G
ON Semiconductor

NTD85N02RT4G

Teilbestand: 6094

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SFU9220TU_AM002
ON Semiconductor

SFU9220TU_AM002

Teilbestand: 737

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Wunschzettel
HUF75637S3_NR4895
ON Semiconductor

HUF75637S3_NR4895

Teilbestand: 616

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V,

Wunschzettel
NTTS2P02R2G
ON Semiconductor

NTTS2P02R2G

Teilbestand: 837

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Wunschzettel
FQD10N20CTM_F080
ON Semiconductor

FQD10N20CTM_F080

Teilbestand: 6120

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 360 mOhm @ 3.9A, 10V,

Wunschzettel
FQP47P06_NW82049
ON Semiconductor

FQP47P06_NW82049

Teilbestand: 670

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 47A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 23.5A, 10V,

Wunschzettel
FQD7P06TM_NB82050
ON Semiconductor

FQD7P06TM_NB82050

Teilbestand: 573

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 451 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wunschzettel
NTMS4873NFR2G
ON Semiconductor

NTMS4873NFR2G

Teilbestand: 653

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

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FQB3N60CTM
ON Semiconductor

FQB3N60CTM

Teilbestand: 648

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

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NTGD3147FT1G
ON Semiconductor

NTGD3147FT1G

Teilbestand: 6125

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

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CPH3348-TL-E
ON Semiconductor

CPH3348-TL-E

Teilbestand: 6089

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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VN2222LLRLRAG
ON Semiconductor

VN2222LLRLRAG

Teilbestand: 6166

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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IRFS654B_FP001
ON Semiconductor

IRFS654B_FP001

Teilbestand: 717

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V,

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NTHD5904NT1G
ON Semiconductor

NTHD5904NT1G

Teilbestand: 838

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

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FDU6680
ON Semiconductor

FDU6680

Teilbestand: 575

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

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NTS4172NT1G
ON Semiconductor

NTS4172NT1G

Teilbestand: 690

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 93 mOhm @ 1.7A, 10V,

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NTMFS4849NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4849NT1G

Teilbestand: 663

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.2A (Ta), 71A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.1 mOhm @ 30A, 10V,

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FDC2512_F095
ON Semiconductor

FDC2512_F095

Teilbestand: 617

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 425 mOhm @ 1.4A, 10V,

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NTTS2P03R2G
ON Semiconductor

NTTS2P03R2G

Teilbestand: 896

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 2.48A, 10V,

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NTD40N03RG
ON Semiconductor

NTD40N03RG

Teilbestand: 294

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

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FDP8442
ON Semiconductor

FDP8442

Teilbestand: 354

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

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NTD95N02RG
ON Semiconductor

NTD95N02RG

Teilbestand: 342

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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NTMFS4708NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4708NT1G

Teilbestand: 337

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

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NTD78N03-001
ON Semiconductor

NTD78N03-001

Teilbestand: 340

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

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FDB3632
ON Semiconductor

FDB3632

Teilbestand: 40642

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 80A, 10V,

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NTGS3443T2G
ON Semiconductor

NTGS3443T2G

Teilbestand: 451

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

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NTD3055L104G
ON Semiconductor

NTD3055L104G

Teilbestand: 291

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 104 mOhm @ 6A, 5V,

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NTD25P03LRLG
ON Semiconductor

NTD25P03LRLG

Teilbestand: 455

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 5V,

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NTGS4111PT1
ON Semiconductor

NTGS4111PT1

Teilbestand: 331

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

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NTD4815NH-35G
ON Semiconductor

NTD4815NH-35G

Teilbestand: 492

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD4810NHT4G
ON Semiconductor

NTD4810NHT4G

Teilbestand: 449

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

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FDP5N50
ON Semiconductor

FDP5N50

Teilbestand: 557

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

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NTMFS4841NHT1G
ON Semiconductor

NTMFS4841NHT1G

Teilbestand: 118611

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.6A (Ta), 59A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

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NTMFS4119NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4119NT3G

Teilbestand: 377

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

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NTD4856NT4G
ON Semiconductor

NTD4856NT4G

Teilbestand: 520

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD5407NT4G
ON Semiconductor

NTD5407NT4G

Teilbestand: 461

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A (Ta), 38A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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