Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

MC1413DG

Teilbestand: 130824

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

NSVT45010MW6T3G

Teilbestand: 173981

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

NST3906DP6T5G

Teilbestand: 122960

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

FMBM5551-SB16001

Teilbestand: 4423

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

SMBT3904DW1T1G

Teilbestand: 105999

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CPH6532-TL-E

Teilbestand: 178184

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MMPQ2222

Teilbestand: 4476

Transistortyp: 4 NPN (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

SBC857CDW1T1G

Teilbestand: 194077

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

FMB3906

Teilbestand: 152486

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MBT2222ADW1T1G

Teilbestand: 141251

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MCH6544-TL-E

Teilbestand: 111253

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 10mA, 2V,

MCH6203-TL-E

Teilbestand: 197865

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NSV60101DMTWTBG

Teilbestand: 149959

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

MBT3946DW1T1

Teilbestand: 4434

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

NST3904DXV6T5G

Teilbestand: 114544

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CPH5517-TL-E

Teilbestand: 170389

Transistortyp: NPN, PNP (Common Base), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NCV1413BDR2G

Teilbestand: 107834

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

FFB5551

Teilbestand: 164148

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

MC1413BPG

Teilbestand: 116299

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

SMUN5111DW1T1G

Teilbestand: 148571

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 300nA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

EMX1DXV6T1G

Teilbestand: 164133

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

FMB2227A

Teilbestand: 129106

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

FFB2222A

Teilbestand: 146550

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CPH5520-TL-E

Teilbestand: 105724

Transistortyp: NPN, PNP (Emitter Coupled), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MCH6542-TL-E

Teilbestand: 4515

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

MCH6001-TL-E

Teilbestand: 132494

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

NSVUMC5NT1G

Teilbestand: 104445

MCH5541-TL-E

Teilbestand: 152025

Transistortyp: NPN, PNP (Emitter Coupled), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

EMZ1DXV6T1G

Teilbestand: 4444

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

HN1B01FDW1T1

Teilbestand: 4433

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

FFB2907A

Teilbestand: 110616

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

NST3906DXV6T1G

Teilbestand: 189660

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MC1413BD

Teilbestand: 4453

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

EMT1DXV6T5G

Teilbestand: 161370

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

CPH5518-TL-H

Teilbestand: 197766

Transistortyp: NPN, PNP (Emitter Coupled), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MMPQ2222AR1

Teilbestand: 4434

Transistortyp: 4 NPN (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,