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Dioden - Zener - Single

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MMSZ5230ET1
ON Semiconductor

MMSZ5230ET1

Teilbestand: 8223

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 19 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5260BT1
ON Semiconductor

MMSZ5260BT1

Teilbestand: 8138

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 93 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel
MM3Z8V2ST1
ON Semiconductor

MM3Z8V2ST1

Teilbestand: 8187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 700nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5221BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5221BLT1

Teilbestand: 8076

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ4697ET1
ON Semiconductor

MMSZ4697ET1

Teilbestand: 8236

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 7.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ6V2T1
ON Semiconductor

MMSZ6V2T1

Teilbestand: 8112

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ18T1
ON Semiconductor

MMSZ18T1

Teilbestand: 8159

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 12.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5231ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5231ELT1

Teilbestand: 8175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5230BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5230BLT1

Teilbestand: 8104

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 19 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5263ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5263ELT1

Teilbestand: 8145

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5246BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5246BLT1

Teilbestand: 8119

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ4691T1
ON Semiconductor

MMSZ4691T1

Teilbestand: 8107

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM5Z27VT1G
ON Semiconductor

MM5Z27VT1G

Teilbestand: 8257

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±7%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 18.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ2V7ET1
ON Semiconductor

MMSZ2V7ET1

Teilbestand: 8238

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5240ET1
ON Semiconductor

MMSZ5240ET1

Teilbestand: 8215

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z6V2T1
ON Semiconductor

MM3Z6V2T1

Teilbestand: 8080

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM5Z36VT1
ON Semiconductor

MM5Z36VT1

Teilbestand: 8150

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 100mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 25.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM5Z3V3T1
ON Semiconductor

MM5Z3V3T1

Teilbestand: 8219

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ12T1
ON Semiconductor

MMSZ12T1

Teilbestand: 8136

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM5Z18VT1G
ON Semiconductor

MM5Z18VT1G

Teilbestand: 8259

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±6.4%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 12.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5246BT1
ON Semiconductor

MMSZ5246BT1

Teilbestand: 8136

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5231ET1
ON Semiconductor

MMSZ5231ET1

Teilbestand: 8177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5255BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5255BLT1

Teilbestand: 8132

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 28V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 44 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z4V7T1
ON Semiconductor

MM3Z4V7T1

Teilbestand: 8153

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM5Z30VT1G
ON Semiconductor

MM5Z30VT1G

Teilbestand: 8189

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±6.7%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM5Z5V1ST1
ON Semiconductor

MM5Z5V1ST1

Teilbestand: 8161

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel
MMSZ5221BT1
ON Semiconductor

MMSZ5221BT1

Teilbestand: 8099

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5238BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5238BLT1

Teilbestand: 8141

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 6.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z3V9ST1
ON Semiconductor

MM3Z3V9ST1

Teilbestand: 8206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.03V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z12VST1
ON Semiconductor

MM3Z12VST1

Teilbestand: 5389

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5234BT1
ON Semiconductor

MMSZ5234BT1

Teilbestand: 8063

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5250BT1
ON Semiconductor

MMSZ5250BT1

Teilbestand: 8063

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5246ET1
ON Semiconductor

MMSZ5246ET1

Teilbestand: 8138

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM5Z13VT1G
ON Semiconductor

MM5Z13VT1G

Teilbestand: 8182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±6.4%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5230ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5230ELT1

Teilbestand: 8197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 19 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5228ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5228ELT1

Teilbestand: 8179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 23 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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