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Dioden - Zener - Single

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MMBZ5250BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5250BLT1G

Teilbestand: 173120

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel
NZ9F3V3ST5G
ON Semiconductor

NZ9F3V3ST5G

Teilbestand: 191576

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 250mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMBZ5246BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5246BLT1G

Teilbestand: 170520

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel
MM5Z5V1T1G
ON Semiconductor

MM5Z5V1T1G

Teilbestand: 157392

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5.9%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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SZMM3Z5V1ST1G
ON Semiconductor

SZMM3Z5V1ST1G

Teilbestand: 166017

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ4689T1G
ON Semiconductor

MMSZ4689T1G

Teilbestand: 140350

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ4692T1G
ON Semiconductor

MMSZ4692T1G

Teilbestand: 130664

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 5.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z75VB
ON Semiconductor

MM3Z75VB

Teilbestand: 177149

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 240 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 52.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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SZMMBZ5236BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5236BLT1G

Teilbestand: 112297

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 6 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z3V3ST1G
ON Semiconductor

MM3Z3V3ST1G

Teilbestand: 196312

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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SZBZX84C4V7LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C4V7LT1G

Teilbestand: 155139

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5260BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5260BT1G

Teilbestand: 195504

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 93 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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SZ1SMB5937BT3G-VF01
ON Semiconductor

SZ1SMB5937BT3G-VF01

Teilbestand: 133724

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 33 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 25.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA,

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MMSZ4711T1G
ON Semiconductor

MMSZ4711T1G

Teilbestand: 144698

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10nA @ 20.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5241BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5241BT1G

Teilbestand: 180368

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 22 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 8.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z6V2B
ON Semiconductor

MM3Z6V2B

Teilbestand: 119760

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 9 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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MMBZ5270BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5270BLT1G

Teilbestand: 137563

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 91V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 400 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 69V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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NZ3F75VT1G
ON Semiconductor

NZ3F75VT1G

Teilbestand: 155467

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 155 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 52.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10mA,

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SZMMSZ5240BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5240BT1G

Teilbestand: 107600

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM5Z47VT1G
ON Semiconductor

MM5Z47VT1G

Teilbestand: 138854

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±6.4%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 32.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5231BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5231BT1G

Teilbestand: 120485

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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SZMM3Z5V1T1G
ON Semiconductor

SZMM3Z5V1T1G

Teilbestand: 196801

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ5244BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5244BT1G

Teilbestand: 174456

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 14V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MMSZ4686T1G
ON Semiconductor

MMSZ4686T1G

Teilbestand: 198645

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z2V7T1G
ON Semiconductor

MM3Z2V7T1G

Teilbestand: 137172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±7%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z4V7T1G
ON Semiconductor

MM3Z4V7T1G

Teilbestand: 125873

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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SZBZX84C47ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C47ET1G

Teilbestand: 177062

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 225mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 32.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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SZNZ3F47VT1G
ON Semiconductor

SZNZ3F47VT1G

Teilbestand: 131768

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 32.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10mA,

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MM3Z5V1B
ON Semiconductor

MM3Z5V1B

Teilbestand: 150413

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 56 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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MMSZ43T1G
ON Semiconductor

MMSZ43T1G

Teilbestand: 100933

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 30.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z56VB
ON Semiconductor

MM3Z56VB

Teilbestand: 174328

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 188 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 39.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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MM3Z4V7B
ON Semiconductor

MM3Z4V7B

Teilbestand: 193795

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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NZ3F4V7T1G
ON Semiconductor

NZ3F4V7T1G

Teilbestand: 154380

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10mA,

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MM5Z16VT1G
ON Semiconductor

MM5Z16VT1G

Teilbestand: 120401

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5.6%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 11.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z3V9ST1G
ON Semiconductor

MM3Z3V9ST1G

Teilbestand: 125515

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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MM3Z4V7C
ON Semiconductor

MM3Z4V7C

Teilbestand: 168284

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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