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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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NSR0620P2T5G
ON Semiconductor

NSR0620P2T5G

Teilbestand: 163184

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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S1D
ON Semiconductor

S1D

Teilbestand: 166543

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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NSVBAS21HT1G
ON Semiconductor

NSVBAS21HT1G

Teilbestand: 112763

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 250V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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MBRM2H100T3G
ON Semiconductor

MBRM2H100T3G

Teilbestand: 198627

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RB521S30T5G
ON Semiconductor

RB521S30T5G

Teilbestand: 123539

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MURS240T3G
ON Semiconductor

MURS240T3G

Teilbestand: 163982

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 65ns,

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RGF1G
ON Semiconductor

RGF1G

Teilbestand: 139093

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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MBRS3100T3G
ON Semiconductor

MBRS3100T3G

Teilbestand: 168705

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS410LT3G
ON Semiconductor

MBRS410LT3G

Teilbestand: 107018

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 330mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS230LT3G
ON Semiconductor

MBRS230LT3G

Teilbestand: 148792

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRA160T3G
ON Semiconductor

MBRA160T3G

Teilbestand: 136985

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR8100EG
ON Semiconductor

MUR8100EG

Teilbestand: 62139

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

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NRVBS3100T3G
ON Semiconductor

NRVBS3100T3G

Teilbestand: 197464

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR01L30MXT5G
ON Semiconductor

NSR01L30MXT5G

Teilbestand: 111166

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SB530
ON Semiconductor

SB530

Teilbestand: 118539

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UF4005
ON Semiconductor

UF4005

Teilbestand: 169787

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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NRVHPM220T3G
ON Semiconductor

NRVHPM220T3G

Teilbestand: 174541

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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ES1G
ON Semiconductor

ES1G

Teilbestand: 147149

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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SS26
ON Semiconductor

SS26

Teilbestand: 196998

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBAS16WT1G
ON Semiconductor

SBAS16WT1G

Teilbestand: 188390

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 6ns,

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MMBD6050LT3G
ON Semiconductor

MMBD6050LT3G

Teilbestand: 113666

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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NRVHPM120T3G
ON Semiconductor

NRVHPM120T3G

Teilbestand: 25886

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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RGP10B
ON Semiconductor

RGP10B

Teilbestand: 198620

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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S1K
ON Semiconductor

S1K

Teilbestand: 119657

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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FDLL485B
ON Semiconductor

FDLL485B

Teilbestand: 130417

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 180V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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S1GHE
ON Semiconductor

S1GHE

Teilbestand: 149277

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 782ns,

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SS23
ON Semiconductor

SS23

Teilbestand: 195574

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS130
ON Semiconductor

MBRS130

Teilbestand: 191013

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MMDL770T1G
ON Semiconductor

MMDL770T1G

Teilbestand: 144595

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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MUR460RLG
ON Semiconductor

MUR460RLG

Teilbestand: 180599

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.28V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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S2M
ON Semiconductor

S2M

Teilbestand: 153330

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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RS1J
ON Semiconductor

RS1J

Teilbestand: 171774

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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NTS260ESFT1G
ON Semiconductor

NTS260ESFT1G

Teilbestand: 191535

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVBS360T3G
ON Semiconductor

NRVBS360T3G

Teilbestand: 193400

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FDLL3595
ON Semiconductor

FDLL3595

Teilbestand: 117974

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 125V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

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MBRS130T3G
ON Semiconductor

MBRS130T3G

Teilbestand: 111159

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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