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Transistoren - IGBTs - Module

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NXH80B120H2Q0SG
ON Semiconductor

NXH80B120H2Q0SG

Teilbestand: 168

Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 41A, Leistung max: 103W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A,

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NXH160T120L2Q2F2SG
ON Semiconductor

NXH160T120L2Q2F2SG

Teilbestand: 161

Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 181A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A,

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NXH80T120L2Q0S2G
ON Semiconductor

NXH80T120L2Q0S2G

Teilbestand: 68

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 57A, Leistung max: 125W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A,

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FMS6G15US60S
ON Semiconductor

FMS6G15US60S

Teilbestand: 401

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Leistung max: 73W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

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HGT1N30N60A4D
ON Semiconductor

HGT1N30N60A4D

Teilbestand: 431

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96A, Leistung max: 255W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

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FMS7G15US60S
ON Semiconductor

FMS7G15US60S

Teilbestand: 322

Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Leistung max: 73W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

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FAM65V05DF1
ON Semiconductor

FAM65V05DF1

Teilbestand: 1644

Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 333W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A,

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FMG2G150US60
ON Semiconductor

FMG2G150US60

Teilbestand: 425

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 595W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A,

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FMS6G20US60
ON Semiconductor

FMS6G20US60

Teilbestand: 387

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Leistung max: 89W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A,

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FMS7G15US60
ON Semiconductor

FMS7G15US60

Teilbestand: 406

Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Leistung max: 73W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

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FMS6G10US60
ON Semiconductor

FMS6G10US60

Teilbestand: 444

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Leistung max: 66W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

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FMG2G150US60E
ON Semiconductor

FMG2G150US60E

Teilbestand: 472

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 150A,

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FMG2G200US60
ON Semiconductor

FMG2G200US60

Teilbestand: 468

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 695W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A,

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FMG2G300LS60E
ON Semiconductor

FMG2G300LS60E

Teilbestand: 428

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 892W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

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FPF2G120BF07AS
ON Semiconductor

FPF2G120BF07AS

Teilbestand: 758

IGBT-Typ: Field Stop, Aufbau: 3 Independent, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A,

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FMG2G50US120
ON Semiconductor

FMG2G50US120

Teilbestand: 416

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 320W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A,

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FMS6G15US60
ON Semiconductor

FMS6G15US60

Teilbestand: 424

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Leistung max: 73W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

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FP7G100US60
ON Semiconductor

FP7G100US60

Teilbestand: 522

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

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FPF2C8P2NL07A
ON Semiconductor

FPF2C8P2NL07A

Teilbestand: 1001

IGBT-Typ: Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Leistung max: 135W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

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FMG1G100US60H
ON Semiconductor

FMG1G100US60H

Teilbestand: 409

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

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FMG2G75US120
ON Semiconductor

FMG2G75US120

Teilbestand: 327

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 445W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

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FMG1G50US60L
ON Semiconductor

FMG1G50US60L

Teilbestand: 445

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

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HGT1N40N60A4D
ON Semiconductor

HGT1N40N60A4D

Teilbestand: 449

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 298W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

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FP7G50US60
ON Semiconductor

FP7G50US60

Teilbestand: 495

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

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FPF2C110BI07AS2
ON Semiconductor

FPF2C110BI07AS2

Teilbestand: 1146

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 300W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A,

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FMS6G10US60S
ON Semiconductor

FMS6G10US60S

Teilbestand: 375

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Leistung max: 66W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

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FP7G75US60
ON Semiconductor

FP7G75US60

Teilbestand: 290

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

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FMG2G100US60
ON Semiconductor

FMG2G100US60

Teilbestand: 395

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

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FMS7G10US60
ON Semiconductor

FMS7G10US60

Teilbestand: 319

Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Leistung max: 66W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

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FMG2G75US60
ON Semiconductor

FMG2G75US60

Teilbestand: 431

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 310W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

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FMS7G10US60S
ON Semiconductor

FMS7G10US60S

Teilbestand: 378

Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Leistung max: 66W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

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FMG2G400LS60
ON Semiconductor

FMG2G400LS60

Teilbestand: 419

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1136W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 400A,

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FMG1G50US60H
ON Semiconductor

FMG1G50US60H

Teilbestand: 407

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

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FPF2G120BF07ASP
ON Semiconductor

FPF2G120BF07ASP

Teilbestand: 815

IGBT-Typ: Field Stop, Aufbau: 3 Independent, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Leistung max: 156W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A,

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FMG2G300US60E
ON Semiconductor

FMG2G300US60E

Teilbestand: 435

Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 892W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A,

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FMG1G100US60L
ON Semiconductor

FMG1G100US60L

Teilbestand: 438

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 400W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

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