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Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

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H11A1TM
ON Semiconductor

H11A1TM

Teilbestand: 5834

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 4170Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

Wunschzettel
H11B3300
ON Semiconductor

H11B3300

Teilbestand: 4309

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 25µs, 18µs,

Wunschzettel
MOC8112SD
ON Semiconductor

MOC8112SD

Teilbestand: 5808

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 4.2µs, 23µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 14µs,

Wunschzettel
FODM453R1V
ON Semiconductor

FODM453R1V

Teilbestand: 5749

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 50% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 400ns, 350ns,

Wunschzettel
CNW85S
ON Semiconductor

CNW85S

Teilbestand: 5901

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5900Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 0.63% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 3.20% @ 10mA,

Wunschzettel
CNY174300
ON Semiconductor

CNY174300

Teilbestand: 5888

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 160% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 320% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 1µs, 2µs,

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HCPL0501R1
ON Semiconductor

HCPL0501R1

Teilbestand: 5759

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 19% @ 16mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 50% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 450ns, 300ns,

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CNY174S
ON Semiconductor

CNY174S

Teilbestand: 5906

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 160% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 320% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 1µs, 2µs,

Wunschzettel
MOC223VM
ON Semiconductor

MOC223VM

Teilbestand: 5697

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 500% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 10µs, 125µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 8µs, 110µs,

Wunschzettel
HMA121BR1V
ON Semiconductor

HMA121BR1V

Teilbestand: 5867

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 150% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

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FOD815S
ON Semiconductor

FOD815S

Teilbestand: 5820

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 600% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 7500% @ 1mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 60µs, 53µs,

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H11AG3SD
ON Semiconductor

H11AG3SD

Teilbestand: 2639

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 5µs, 5µs,

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FOD2743ATV
ON Semiconductor

FOD2743ATV

Teilbestand: 5824

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 100% @ 1mA,

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MOC81073SD
ON Semiconductor

MOC81073SD

Teilbestand: 5809

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 1µs, 2µs,

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FODM121ER2V
ON Semiconductor

FODM121ER2V

Teilbestand: 5710

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

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MCT2ESVM
ON Semiconductor

MCT2ESVM

Teilbestand: 5854

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 1.5µs,

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CNX36US
ON Semiconductor

CNX36US

Teilbestand: 5850

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 80% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 200% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 20µs, 20µs,

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MOC8100SR2M
ON Semiconductor

MOC8100SR2M

Teilbestand: 5737

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 30% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 20µs, 20µs (Max), Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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CNW84300
ON Semiconductor

CNW84300

Teilbestand: 5707

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5900Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 0.63% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 3.20% @ 10mA,

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HCPL0730R1
ON Semiconductor

HCPL0730R1

Teilbestand: 1468

Anzahl der Kanäle: 2, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 300% @ 1.6mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 5000% @ 1.6mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 7µs,

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CNW135300
ON Semiconductor

CNW135300

Teilbestand: 5913

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 7% @ 16mA,

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MCT2200S
ON Semiconductor

MCT2200S

Teilbestand: 5866

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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HMA121DR2V
ON Semiconductor

HMA121DR2V

Teilbestand: 5718

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 100% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

Wunschzettel
MOC8112S
ON Semiconductor

MOC8112S

Teilbestand: 5884

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 4.2µs, 23µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 14µs,

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H11F1300
ON Semiconductor

H11F1300

Teilbestand: 2579

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 25µs, 25µs (Max),

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FODM8801AV
ON Semiconductor

FODM8801AV

Teilbestand: 166933

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 80% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 160% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 6µs, 6µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 5µs, 5.5µs,

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HMA121BR3
ON Semiconductor

HMA121BR3

Teilbestand: 5798

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 150% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

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FOD2743CS
ON Semiconductor

FOD2743CS

Teilbestand: 5854

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 100% @ 1mA,

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H11AG13SD
ON Semiconductor

H11AG13SD

Teilbestand: 5831

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 5µs, 5µs,

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H11B255W
ON Semiconductor

H11B255W

Teilbestand: 5774

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 25µs, 18µs,

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H11A2W
ON Semiconductor

H11A2W

Teilbestand: 5931

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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H11G33S
ON Semiconductor

H11G33S

Teilbestand: 5918

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 5µs, 100µs,

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H11A1FR2M
ON Semiconductor

H11A1FR2M

Teilbestand: 5804

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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H11B2SD
ON Semiconductor

H11B2SD

Teilbestand: 5893

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 25µs, 18µs,

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H11G2SVM
ON Semiconductor

H11G2SVM

Teilbestand: 5966

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 4170Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 1000% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 5µs, 100µs,

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H11G2300
ON Semiconductor

H11G2300

Teilbestand: 5861

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 1000% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 5µs, 100µs,

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