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Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

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MCT2202SD
ON Semiconductor

MCT2202SD

Teilbestand: 5548

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 63% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 125% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

Wunschzettel
H11AG2SD
ON Semiconductor

H11AG2SD

Teilbestand: 5544

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 5µs, 5µs,

Wunschzettel
MCT2200SD
ON Semiconductor

MCT2200SD

Teilbestand: 5590

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

Wunschzettel
H11A4SM
ON Semiconductor

H11A4SM

Teilbestand: 5662

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 10% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

Wunschzettel
H11AA23S
ON Semiconductor

H11AA23S

Teilbestand: 5612

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 10% @ 10mA,

Wunschzettel
MOC208VM
ON Semiconductor

MOC208VM

Teilbestand: 5594

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 40% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 125% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 7.5µs, 5.7µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3.2µs, 4.7µs,

Wunschzettel
H11B1SD
ON Semiconductor

H11B1SD

Teilbestand: 5656

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 500% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 25µs, 18µs,

Wunschzettel
H11AV2SM
ON Semiconductor

H11AV2SM

Teilbestand: 5624

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 15µs, 15µs,

Wunschzettel
MOC8108300W
ON Semiconductor

MOC8108300W

Teilbestand: 5524

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 250% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 1µs, 2µs,

Wunschzettel
CNX48UW
ON Semiconductor

CNX48UW

Teilbestand: 5669

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 350% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3.5µs, 36µs,

Wunschzettel
FOD2742AV
ON Semiconductor

FOD2742AV

Teilbestand: 5628

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 200% @ 10mA,

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FODM121AR1V
ON Semiconductor

FODM121AR1V

Teilbestand: 5551

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

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CNY171FVM
ON Semiconductor

CNY171FVM

Teilbestand: 5690

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 4170Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 40% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 80% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 4µs, 3.5µs (Max),

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MCT23SD
ON Semiconductor

MCT23SD

Teilbestand: 5603

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 1.1µs, 50µs,

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H11AG1SD
ON Semiconductor

H11AG1SD

Teilbestand: 5629

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 5µs, 5µs,

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H11A1FVM
ON Semiconductor

H11A1FVM

Teilbestand: 5674

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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FODM121G
ON Semiconductor

FODM121G

Teilbestand: 5628

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

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FODM453R1
ON Semiconductor

FODM453R1

Teilbestand: 5621

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 50% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 400ns, 350ns,

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MCT2200300
ON Semiconductor

MCT2200300

Teilbestand: 5699

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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FODM2705R1
ON Semiconductor

FODM2705R1

Teilbestand: 5502

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

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CNY17F4SM
ON Semiconductor

CNY17F4SM

Teilbestand: 174842

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 4170Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 160% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 320% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 4µs, 3.5µs (Max),

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CNY17F1S
ON Semiconductor

CNY17F1S

Teilbestand: 5697

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 40% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 80% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 1µs, 2µs,

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H11A3SD
ON Semiconductor

H11A3SD

Teilbestand: 5649

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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H11A4FR2M
ON Semiconductor

H11A4FR2M

Teilbestand: 5588

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 10% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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H11AA13SD
ON Semiconductor

H11AA13SD

Teilbestand: 5517

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA,

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HMA121DR1V
ON Semiconductor

HMA121DR1V

Teilbestand: 5734

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 100% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

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CNY174TVM
ON Semiconductor

CNY174TVM

Teilbestand: 150211

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 4170Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 160% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 320% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 4µs, 3.5µs (Max),

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HMHA2801BR2V
ON Semiconductor

HMHA2801BR2V

Teilbestand: 5501

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 130% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 260% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 3µs, 3µs,

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H11D13SD
ON Semiconductor

H11D13SD

Teilbestand: 5593

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 5µs, 5µs,

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SL5582300W
ON Semiconductor

SL5582300W

Teilbestand: 5700

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 40% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 320% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 20µs, 50µs (Max),

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H11A817W
ON Semiconductor

H11A817W

Teilbestand: 5579

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2.4µs, 2.4µs,

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MCT2EVM
ON Semiconductor

MCT2EVM

Teilbestand: 5721

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 1.5µs,

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H11AA4300W
ON Semiconductor

H11AA4300W

Teilbestand: 5529

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 10mA,

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H11A5FM
ON Semiconductor

H11A5FM

Teilbestand: 5604

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 30% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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H11A4FR2VM
ON Semiconductor

H11A4FR2VM

Teilbestand: 5709

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 7500Vpk, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 10% @ 10mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 2µs, 2µs,

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H11A617D300W
ON Semiconductor

H11A617D300W

Teilbestand: 5550

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5300Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 160% @ 10mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 320% @ 10mA, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2.4µs, 2.4µs,

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