Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NZT560A

Teilbestand: 193019

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

NSV60600MZ4T3G

Teilbestand: 143165

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

NZT7053

Teilbestand: 173024

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

KSH2955TM

Teilbestand: 125395

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

KSH127TF

Teilbestand: 129670

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

KSP94TA

Teilbestand: 149904

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

NZT6715

Teilbestand: 142947

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

NSS20500UW3TBG

Teilbestand: 180519

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

SMBT35200MT1G

Teilbestand: 105786

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

NJVMJD122T4G-VF01

Teilbestand: 155342

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

NSV20101JT1G

Teilbestand: 113237

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

SBCW33LT1G

Teilbestand: 101156

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

PZT2907AT3G

Teilbestand: 154610

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

NJVMJD127T4G

Teilbestand: 140740

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

SPZT3904T1G

Teilbestand: 174062

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MJL3281AG

Teilbestand: 20588

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 260V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V,

SZT1010T1G

Teilbestand: 157437

MMBT2369LT3G

Teilbestand: 105766

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV,

NJVMJD128T4G

Teilbestand: 196265

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

NSS60600MZ4T3G

Teilbestand: 182408

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

MJD32CRLG

Teilbestand: 186712

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

KSC5502TU

Teilbestand: 62137

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 500mA, 2.5V,

NZT560

Teilbestand: 104946

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

MMBT4403M3T5G

Teilbestand: 132675

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

KSH122TF

Teilbestand: 161598

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

NSVBC847BLT3G

Teilbestand: 163147

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

NST856BF3T5G

Teilbestand: 126581

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

SBC847CLT1G

Teilbestand: 150514

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

KSH2955TF

Teilbestand: 122338

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

MJD117T4G

Teilbestand: 143456

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

S1JVNJD2873T4G

Teilbestand: 137867

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

FZT790A

Teilbestand: 178438

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

MJH11020G

Teilbestand: 20028

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

CPH3105-TL-E

Teilbestand: 160338

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MJ11022G

Teilbestand: 11160

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

MJE243G

Teilbestand: 124203

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,