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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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MSB710-RT1G
ON Semiconductor

MSB710-RT1G

Teilbestand: 6471

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

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MJD31CRL
ON Semiconductor

MJD31CRL

Teilbestand: 6391

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

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MPS6652RLRAG
ON Semiconductor

MPS6652RLRAG

Teilbestand: 6421

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V,

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PN100A_D27Z
ON Semiconductor

PN100A_D27Z

Teilbestand: 6570

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

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FJAF4210RTU
ON Semiconductor

FJAF4210RTU

Teilbestand: 30792

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

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MPSA44RL1G
ON Semiconductor

MPSA44RL1G

Teilbestand: 6665

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

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NSS30101LT1G
ON Semiconductor

NSS30101LT1G

Teilbestand: 107568

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

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KSC5025OTU
ON Semiconductor

KSC5025OTU

Teilbestand: 6120

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.2A, 5V,

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MJD45H11G
ON Semiconductor

MJD45H11G

Teilbestand: 112704

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

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FJP5021Y
ON Semiconductor

FJP5021Y

Teilbestand: 6147

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V,

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SMMBT6427LT1G
ON Semiconductor

SMMBT6427LT1G

Teilbestand: 173974

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

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TIP101
ON Semiconductor

TIP101

Teilbestand: 6468

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

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FJPF5021R
ON Semiconductor

FJPF5021R

Teilbestand: 6150

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

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NST489AMT1
ON Semiconductor

NST489AMT1

Teilbestand: 6481

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

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MPS6724G
ON Semiconductor

MPS6724G

Teilbestand: 6383

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

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MJD148T4G
ON Semiconductor

MJD148T4G

Teilbestand: 119568

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

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FJL6820TU
ON Semiconductor

FJL6820TU

Teilbestand: 6101

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 750V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V,

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FJP5021O
ON Semiconductor

FJP5021O

Teilbestand: 6080

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

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MJD32CRL
ON Semiconductor

MJD32CRL

Teilbestand: 6354

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

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CPH3145-TL-E
ON Semiconductor

CPH3145-TL-E

Teilbestand: 120115

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 330mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

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MPS8098
ON Semiconductor

MPS8098

Teilbestand: 6488

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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MPS2369RLRAG
ON Semiconductor

MPS2369RLRAG

Teilbestand: 6430

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

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MPSA13ZL1
ON Semiconductor

MPSA13ZL1

Teilbestand: 6431

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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KSD5018PWD
ON Semiconductor

KSD5018PWD

Teilbestand: 6129

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 275V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA,

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FMBS2383
ON Semiconductor

FMBS2383

Teilbestand: 173551

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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MPS6729G
ON Semiconductor

MPS6729G

Teilbestand: 6425

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

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MPS2222ARLRM
ON Semiconductor

MPS2222ARLRM

Teilbestand: 6381

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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FJPF5027TU
ON Semiconductor

FJPF5027TU

Teilbestand: 6093

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V,

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TIP116
ON Semiconductor

TIP116

Teilbestand: 6440

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

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MPSW13RLRAG
ON Semiconductor

MPSW13RLRAG

Teilbestand: 6463

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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MMBTA05LT3
ON Semiconductor

MMBTA05LT3

Teilbestand: 6349

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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D44C8
ON Semiconductor

D44C8

Teilbestand: 75525

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 1V,

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KSC5024RTU
ON Semiconductor

KSC5024RTU

Teilbestand: 6173

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 800mA, 5V,

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MPSW63RLRA
ON Semiconductor

MPSW63RLRA

Teilbestand: 6426

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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FJPF13007TU
ON Semiconductor

FJPF13007TU

Teilbestand: 6117

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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MPSA56ZL1G
ON Semiconductor

MPSA56ZL1G

Teilbestand: 6663

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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