Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Panasonic Electronic Components

2SK3892

Teilbestand: 11969

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 11A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK3048

Teilbestand: 32345

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK3043

Teilbestand: 31742

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK3046

Teilbestand: 24158

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK3045

Teilbestand: 37750

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 1.5A, 10V,

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2SK3064G0L

Teilbestand: 2106

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SK302200L

Teilbestand: 1551

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK326800L

Teilbestand: 1465

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 12A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK303000L

Teilbestand: 84713

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 4A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK302500L

Teilbestand: 40869

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK303100L

Teilbestand: 70055

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK327700L

Teilbestand: 97609

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.25A, 10V,

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2SK1374G0L

Teilbestand: 648

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

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2SJ0674G0L

Teilbestand: 636

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V,

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2SK0601G0L

Teilbestand: 707

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SJ0536G0L

Teilbestand: 713

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

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2SK3547G0L

Teilbestand: 594

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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2SK0664G0L

Teilbestand: 599

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

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2SK3539G0L

Teilbestand: 585

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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2SK3546G0L

Teilbestand: 612

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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2SK137400L

Teilbestand: 9805

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

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2SK066500L

Teilbestand: 9747

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

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2SJ067400L

Teilbestand: 9814

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

2SJ058200L

Teilbestand: 9829

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK3318

Teilbestand: 9808

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 460 mOhm @ 7.5A, 10V,

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2SK354700L

Teilbestand: 9526

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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2SK3546J0L

Teilbestand: 9480

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

2SK0665G0L

Teilbestand: 9355

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SK221100L

Teilbestand: 9251

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK0615

Teilbestand: 9274

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SK066400L

Teilbestand: 9187

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SK122800L

Teilbestand: 5951

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

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Panasonic Electronic Components

2SK353900L

Teilbestand: 9183

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 Ohm @ 10mA, 2.5V,

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Panasonic Electronic Components

2SK060100L

Teilbestand: 9182

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK306400L

Teilbestand: 9142

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SJ053600L

Teilbestand: 9187

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

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