Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.098" (2.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Ausgabetyp: Phototransistor,