Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

SC8673040L

SC8673040L

Teilbestand: 67245

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, 46A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 5.85mA,

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SC8673010L

SC8673010L

Teilbestand: 63520

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 4.38mA,

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MTM763250LBF

MTM763250LBF

Teilbestand: 103755

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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MTM684100LBF

MTM684100LBF

Teilbestand: 135215

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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MTMC8E2A0LBF

MTMC8E2A0LBF

Teilbestand: 184943

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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MTM684110LBF

MTM684110LBF

Teilbestand: 152523

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 1A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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FC8J33040L

FC8J33040L

Teilbestand: 178049

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 33V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 260µA,

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MTM763200LBF

MTM763200LBF

Teilbestand: 150350

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.9A, 1.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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FC8V33030L

FC8V33030L

Teilbestand: 192655

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 33V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 480µA,

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FCAB21520L1

FCAB21520L1

Teilbestand: 103474

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 1.64mA,

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XN0187200L

XN0187200L

Teilbestand: 2940

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 100µA,

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FCAB21490L1

FCAB21490L1

Teilbestand: 124322

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 1.11mA,

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FC8V22040L

FC8V22040L

Teilbestand: 119612

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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FC6546010R

FC6546010R

Teilbestand: 108644

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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FC4B22270L1

FC4B22270L1

Teilbestand: 167168

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 310µA,

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MTMC8E280LBF

MTMC8E280LBF

Teilbestand: 139278

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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XP0187800L

XP0187800L

Teilbestand: 2685

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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UP04979G0L

UP04979G0L

Teilbestand: 2769

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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UP04878G0L

UP04878G0L

Teilbestand: 2789

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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XP0487800L

XP0487800L

Teilbestand: 3315

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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UP0487800L

UP0487800L

Teilbestand: 2703

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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FC6943010R

FC6943010R

Teilbestand: 114711

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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UP0497900L

UP0497900L

Teilbestand: 2637

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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UP0487C00L

UP0487C00L

Teilbestand: 188334

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 50µA,

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MTM78E2B0LBF

MTM78E2B0LBF

Teilbestand: 117955

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 2A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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UP0187B00L

UP0187B00L

Teilbestand: 2665

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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FG6943010R

FG6943010R

Teilbestand: 122798

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA,

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FC6946010R

FC6946010R

Teilbestand: 128607

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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