Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Rohm Semiconductor

RQ3E150GNTB

Teilbestand: 143170

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.1 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RQ5C035BCTCL

Teilbestand: 153058

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RU1C002ZPTCL

Teilbestand: 135551

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RTF025N03TL

Teilbestand: 131049

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RF4E080GNTR

Teilbestand: 141715

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.6 mOhm @ 8A, 10V,

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RHK005N03T146

Teilbestand: 113939

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSU002N06T106

Teilbestand: 104070

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

RT1A050ZPTR

Teilbestand: 189488

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 5A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RTE002P02TL

Teilbestand: 158987

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RTL030P02TR

Teilbestand: 168289

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

QS5U13TR

Teilbestand: 106198

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

QS5U17TR

Teilbestand: 194462

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RZQ045P01TR

Teilbestand: 175508

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

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RRQ045P03TR

Teilbestand: 100214

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RTR020P02TL

Teilbestand: 175355

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

RQ5E035ATTCL

Teilbestand: 169961

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSR015P03TL

Teilbestand: 170687

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 235 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RRH050P03TB1

Teilbestand: 934

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS090P03FU6TB

Teilbestand: 73095

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RRS090P03TB1

Teilbestand: 952

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta),

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Rohm Semiconductor

RSS120N03FU6TB

Teilbestand: 912

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS075P03FU6TB

Teilbestand: 94379

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS105N03FU6TB

Teilbestand: 953

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS050P03FU6TB

Teilbestand: 135566

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

SCT2080KEC

Teilbestand: 4122

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 18V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

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RP1E100RPTR

Teilbestand: 949

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS125N03FU6TB

Teilbestand: 98050

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.9 mOhm @ 12.5A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS040P03FU6TB

Teilbestand: 146781

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RMW150N03TB

Teilbestand: 1105

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.1 mOhm @ 15A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS130N03FU6TB

Teilbestand: 83883

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.1 mOhm @ 13A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RCD040N25TL

Teilbestand: 986

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS110N03FU6TB

Teilbestand: 103226

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.7 mOhm @ 11A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RSS080N05FU6TB

Teilbestand: 940

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta),

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Rohm Semiconductor

SCT2H12NZGC11

Teilbestand: 14753

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 18V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

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Rohm Semiconductor

RSS100N03FU6TB

Teilbestand: 117457

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

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Rohm Semiconductor

RDN100N20FU6

Teilbestand: 24446

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

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