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BR93G66FV-3BGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G66FV-3BGTE2

Teilbestand: 10850

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G66FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR93G66FJ-3GTE2

Teilbestand: 10818

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G66FJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G66FJ-3AGTE2

Teilbestand: 10823

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24G32FV-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G32FV-3GTE2

Teilbestand: 121450

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 32Kb (4K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24T01NUX-WTR
Rohm Semiconductor

BR24T01NUX-WTR

Teilbestand: 160746

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24G32FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor

BR24G32FVM-3AGTTR

Teilbestand: 105730

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 32Kb (4K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G46FVT-3GE2
Rohm Semiconductor

BR93G46FVT-3GE2

Teilbestand: 9939

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (64 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G46F-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G46F-3AGTE2

Teilbestand: 112

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (64 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G46F-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR93G46F-3GTE2

Teilbestand: 137

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (64 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24T04NUX-WTR
Rohm Semiconductor

BR24T04NUX-WTR

Teilbestand: 114206

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G76NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor

BR93G76NUX-3ATTR

Teilbestand: 109094

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (512 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G76NUX-3TTR
Rohm Semiconductor

BR93G76NUX-3TTR

Teilbestand: 199379

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G76NUX-3BTTR
Rohm Semiconductor

BR93G76NUX-3BTTR

Teilbestand: 175833

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (512 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G46FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor

BR93G46FVT-3AGE2

Teilbestand: 94

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (64 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G56F-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G56F-3AGTE2

Teilbestand: 142

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G56F-3BGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G56F-3BGTE2

Teilbestand: 108

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G66FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor

BR93G66FVT-3AGE2

Teilbestand: 9937

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G56FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR93G56FVJ-3GTE2

Teilbestand: 112795

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G56FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G56FVJ-3BGTE2

Teilbestand: 198254

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G56FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G56FVJ-3AGTE2

Teilbestand: 199541

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G66F-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR93G66F-3GTE2

Teilbestand: 10839

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G66F-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G66F-3AGTE2

Teilbestand: 90

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24G01FV-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G01FV-3GTE2

Teilbestand: 184305

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24G16QUZ-3TR
Rohm Semiconductor

BR24G16QUZ-3TR

Teilbestand: 110

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24G16FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G16FVJ-3GTE2

Teilbestand: 151180

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G66F-3BGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G66F-3BGTE2

Teilbestand: 135

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24G16FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G16FJ-3GTE2

Teilbestand: 189687

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G66FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G66FVJ-3AGTE2

Teilbestand: 10754

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G66FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor

BR93G66FVJ-3BGTE2

Teilbestand: 10752

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24G08FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor

BR24G08FVJ-3AGTE2

Teilbestand: 126268

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24G16FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor

BR24G16FVM-3GTTR

Teilbestand: 137177

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G56FVM-3BGTTR
Rohm Semiconductor

BR93G56FVM-3BGTTR

Teilbestand: 163138

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G56FVM-3AGTTR
Rohm Semiconductor

BR93G56FVM-3AGTTR

Teilbestand: 146434

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR93G56FVM-3GTTR
Rohm Semiconductor

BR93G56FVM-3GTTR

Teilbestand: 147557

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Taktfrequenz: 3MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR24T04FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR24T04FV-WE2

Teilbestand: 119571

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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BR25G320NUX-3TR
Rohm Semiconductor

BR25G320NUX-3TR

Teilbestand: 63

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 32Kb (4K x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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