Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 21

RLZTE-117.5B

Teilbestand: 5494

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.3V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 4V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-118.2A

Teilbestand: 5448

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 5V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-113.6A

Teilbestand: 5438

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1116C

Teilbestand: 5455

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 18 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 12V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1120A

Teilbestand: 3565

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 19.1V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 28 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 15V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-116.2B

Teilbestand: 5414

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 3V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-115.1A

Teilbestand: 5491

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1.5V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1136C

Teilbestand: 5479

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33.6V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 27V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-115.1B

Teilbestand: 5501

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1.5V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1124B

Teilbestand: 5448

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 23.2V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 19V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-115.6C

Teilbestand: 5447

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2.5V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1116A

Teilbestand: 3639

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 18 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 12V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1112B

Teilbestand: 3562

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 12 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 9V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1122C

Teilbestand: 5406

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 21.2V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 17V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1116B

Teilbestand: 5476

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 18 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 12V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1127C

Teilbestand: 5488

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 25.6V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 21V,

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MTZJT-725.1B

Teilbestand: 5421

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1.5V,

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RLZTE-113.6B

Teilbestand: 5512

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1139C

Teilbestand: 5450

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36.3V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 30V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-114.7C

Teilbestand: 5510

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1139D

Teilbestand: 5444

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36.3V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 30V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1110C

Teilbestand: 3638

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.7V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1120D

Teilbestand: 5470

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 19.1V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 28 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 15V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1110A

Teilbestand: 5480

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.7V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1122A

Teilbestand: 5497

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 21.2V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 17V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-1113A

Teilbestand: 5416

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 10V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-116.8B

Teilbestand: 5460

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 3.5V,

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Rohm Semiconductor

EDZVT2R10B

Teilbestand: 145468

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7V,

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Rohm Semiconductor

MTZJT-726.2B

Teilbestand: 5017

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 3V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-118.2B

Teilbestand: 4976

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 5V,

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Rohm Semiconductor

UDZVTE-175.1B

Teilbestand: 118335

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1.5V,

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Rohm Semiconductor

EDZTE6124B

Teilbestand: 197282

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 120 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 19V,

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Rohm Semiconductor

UDZVTE-176.2B

Teilbestand: 107111

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 3V,

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Rohm Semiconductor

UDZSTE-176.8B

Teilbestand: 107476

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 3.5V,

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Rohm Semiconductor

UDZVTE-175.6B

Teilbestand: 192319

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2.5V,

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Rohm Semiconductor

RLZTE-119.1C

Teilbestand: 5003

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.8V, Toleranz: ±3%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 6V,

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