Transistoren - IGBTs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 2

RGTV00TK65DGC11

Teilbestand: 2789

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Leistung max: 94W,

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Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

Teilbestand: 2739

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 194W,

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Rohm Semiconductor

RGT50TS65DGC11

Teilbestand: 20970

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 48A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Leistung max: 174W,

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Rohm Semiconductor

RGTV00TS65DGC11

Teilbestand: 2823

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 95A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Leistung max: 276W,

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Rohm Semiconductor

RGT60TS65DGC11

Teilbestand: 22178

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 55A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Leistung max: 194W,

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Rohm Semiconductor

RGW80TS65GC11

Teilbestand: 2956

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 78A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Leistung max: 214W,

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Rohm Semiconductor

RGT30NS65DGTL

Teilbestand: 76981

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Leistung max: 133W,

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Rohm Semiconductor

RGPR30BM40HRTL

Teilbestand: 10769

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 430V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Leistung max: 125W,

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Rohm Semiconductor

RGPR10BM40FHTL

Teilbestand: 10770

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 460V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Leistung max: 107W,

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Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

Teilbestand: 64766

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Leistung max: 161W,

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Rohm Semiconductor

RGPZ10BM40FHTL

Teilbestand: 10827

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 460V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Leistung max: 107W,

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